Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
При низкой оригинальности работы "Зміна електрофізичних характеристик монокристалів n-ge під дією високоенергетичного електронного опромінення", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Розвиток сучасних технологій, вдосконалення наявних енергетичних установок та проектування термоядерних апаратів вимагають, щоб конструкційні матеріали повністю використовували свій ресурс при різних зовнішніх впливах, у тому числі і при опроміненні швидкими частинками. Частинки випромінювань ядерних та термоядерних реакторів взаємодіють з конструктивними елементами установок, змінюючи структуру та властивості використовуваних матеріалів. До експлуатації напівпровідникових сенсорів та приладів у таких галузях, де присутні радіаційні поля, висуваються вимоги щодо точності та стабільності параметрів цих сенсорів в умовах значних радіаційних навантажень. Також даний максимум зміщується в сторону менших доз опромінення при збільшенні температури. При збільшені температури локалізовані електрони на таких центрах за рахунок термічної іонізації можуть перейти із звязаного стану в стан електрона провідності, що пояснює зменшення питомого опору та величини максимуму залежності питомого опору від дози опромінення при збільшенні температури.
Список литературы
1. Углов В. В. Радиационные эффекты в твердых телах.- Минск: БГУ, 2007. - С. 167.
2. S. Tong, J. Liu, L.J. Wan, K.L. Wang, Appl. Phys. Lett., 2002 -Vol. 80, 1189 p.
3. Шварц Ю. М.. Физические основы полупроводниковых приборов экстремальной электроники : Дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины. - К., 2004. - 342л.
4. S. V. Luniov, A. I. Zimych, P. F. Nazarchuk, V. T. Maslyuk, I. G. Megela. The impact of radiation defects on the mechanisms of electron scattering in single crystals n-Ge // JOURNAL OF PHYSICAL STUDIES, v. 19, №.4 (2015) ,4704(7 p.).
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
