Выращивание плёнки GeSi и CaF2 на кремниевых подложках - Дипломная работа

бесплатно 0
4.5 93
Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.


Аннотация к работе
По приведенной характеристике были рассчитаны значения удельного сопротивления пленки CAF2. Полученное значение примерно на порядок величины превосходит таковое для образцов с низкой температурой (850 °С) очистки поверхности перед ростом, измерявшихся в работе [34]. Епр=1,5I106 В/см, что сравнимо с лучшими показателями для пленок выращенных на подложкахах Si(100), имеющими лучшие электрические характеристики по сравнению с пленками выращенными на слоях с ориентацией (111) (см. литобзор). Таким образом, можно говорить о том, что выращенные пленки могут использоваться для приборных структур, поскольку имеют хорошую морфологию поверхности: малую шероховатость и отсутствие проколов в пленке. Выводы: Выращены образцы гетероструктур с пленками CAF2 на подложках Si(111), обладающие хорошими стркутрными и диэлектрическими параметрами.

План
СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Пластическая релаксация напряжений несоответствия

1.1.1 Прорастающие дислокации и дислокации несоответствия

1.1.2 Критическая толщина введения дислокаций несоответствия

1.1.3 Модель энергетического баланса

1.1.6 Движение прорастающих дислокаций в напряженных пленках

1.1.7 Зарождение дислокаций несоответсвия в напряженных пленках

1.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CAF2/Si

1.2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия CAF2

1.2.2 Влияние технологических режимов на дефектообразование в CAF2

1.2.3 Влияние ориентации подложки на морфологию CAF2

1.2.4 Влияние отжигов на морфологию и структуру пленок CAF2

2. экспериментальная часть

2.1 Методика проведения эксперимента

2.1.1 Установка МЛЭ "Катунь"

2.1.2 Рентгеновская дифракция

2.1.3 Атомно-силовая микроскопия

2.1.4 Эллипсометрия

2.1.5 I-V характеристики

2.2 Выращивание пленок GESI

2.2.1 Исследуемые образцы

2.2.2 Релаксация пленок

2.2.3 Анализ и обсуждение результатов

2.3 Выращивание гетероструктур CAF2/Si

2.3.1 Исследуемые образцы

2.3.2 Морфология поверхности гетероструктур
Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?