Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
По приведенной характеристике были рассчитаны значения удельного сопротивления пленки CAF2. Полученное значение примерно на порядок величины превосходит таковое для образцов с низкой температурой (850 °С) очистки поверхности перед ростом, измерявшихся в работе [34]. Епр=1,5I106 В/см, что сравнимо с лучшими показателями для пленок выращенных на подложкахах Si(100), имеющими лучшие электрические характеристики по сравнению с пленками выращенными на слоях с ориентацией (111) (см. литобзор). Таким образом, можно говорить о том, что выращенные пленки могут использоваться для приборных структур, поскольку имеют хорошую морфологию поверхности: малую шероховатость и отсутствие проколов в пленке. Выводы: Выращены образцы гетероструктур с пленками CAF2 на подложках Si(111), обладающие хорошими стркутрными и диэлектрическими параметрами.
