Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
При низкой оригинальности работы "Вплив метастабільних та резонансних домішкових станів на явища переносу в твердих розчинах А3В5 та А2В6", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Властивості напівпровідникових матеріалів, що використовуються у сучасній напівпровідниковій електроніці, багато в чому залежать від присутності в них тих чи інших центрів, які, завдяки впливу на концентрацію або рухливість носіїв, можуть обмежувати провідність матеріалу. Такі центри, зазвичай, виступають як бістабільні і призводять до обмеження характеристик світловипромінюючих діодів (LED) або польових транзисторів, виготовлених із структур з модульованим легуванням на основі А3В5-матеріалів. Вивченню природи і властивостей центрів у напівпровідниках, що формують метастабільні і резонансні стани, в останні роки було присвячено багато робіт, проте значне коло питань, важливих як для розуміння фізичних принципів утворення і “роботи” таких центрів, так і для практичного використання матеріалів з подібними центрами, залишаються відкритими. Ефективним способом зясування переваг тої чи іншої з цих моделей може бути вивчення поведінки DX-центру в умовах різного роду зовнішніх впливів, послідовне вивчення змін, водночас як концентрації, так і рухливості носіїв струму в кристалах за таких впливів. Зясування цього питання є важливим для практики, оскільки необхідно знайти технологічні способи усунення DX-центрів з приладних структур на базі А3В5, для чого необхідне чітке фізичне розуміння моделі цих центрів.У Вступі обговорюються основні задачі дисертації, обґрунтована актуальність теми роботи, визначена наукова новизна та практичне значення, наведені відомості про апробацію роботи і публікації, в яких брав участь автор, а також подано короткий зміст дисертації за розділами. У другому розділі обговорено питання методики досліджень і техніки низькотемпературних гальваномагнітних (поля до 6 Тл при 1.6 Т 300К) і фотоелектричних досліджень, а також досліджень з використанням ультразвуку. Досліджено також залежність питомого опору від оберненої температури зразка в темряві та після освітлення; залежності питомого опору і коефіціента Холла від інтенсивності оптичного опромінення у Al0.35Ga0.65As: Sn при 4.2К і холлівської рухливості від інтенсивності освітлення; залежність холлівської рухливості від концентрації фотозбуджених носіїв току для зразків Al0.30Ga0.70As:Sn при 77К. низькотемпературний питомий опір, що вимірюється в режимі РРС, практично не залежить від температури. виміряна холлівська концентрація носіїв у режимі насичення фотопровідності 6?1015 см-3 виявилася значно нижчою, ніж концентрація фотоносіїв, яка оцінювалася (в літературі) за даними фото-ЕПР. Сукупність спостережених явищ можна пояснити, якщо на додаток до збудження DX-станів, глибокого-стану та мілкого водневоподібного стану поблизу Г-мінімума зони провідності взяти до уваги вплив домішкових станів, повязаних зі вторинним Х-мінімумом зони провідності, резонансних відносно зонних станів біля Г-точки (Рис.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
