Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності - Автореферат

Застосування цих матеріалів зумовлює пошук способів керування процесами формування складу поверхонь кристалів та одержання плівок з необхідними властивостями. В звязку з наведеним вище виникає необхідність подальших наукових досліджень процесів, що протікають у кристалах з різними типами хімічного звязку, які дозволили б керувати складом поверхні. Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка згідно з планом робіт проблемної лабораторії фізичної електроніки по темах: “Дослідження динаміки емісії нейтральних і заряджених частинок із іонних напівпровідникових кристалів при збудженні їх електронної підсистеми в процесі розвитку порушення стехіометрії в кристалах” (державна реєстрація № 0193042513, 1993 р.), “Дослідити механізм відхилення від стехіометрії в кристалах бінарних напівпровідникових сполук” (державна реєстрація № 81005099, 1995 р.), “Дослідити електронно-стимульоване відхилення від стехіометрії в бінарних напівпровідникових сполуках” (державна реєстрація № 01860061334, 1997 р.), “Вплив електронної підсистеми на формування складу кристалів напівпровідникових сполук та їх адсорбційні властивості” (державна реєстрація № 00197U003268, 2000р.). Метою даної дисертаційної роботи є розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу ВАО, САО, SRO (А2В6) та GAAS (А3В5), які мають різну ступінь іонності. Вивчення процесів випаровування та формування складу поверхні кристалів GGAAAASS (А3В5) і аналіз механізмів впливу зовнішніх факторів (температури, електричного струму, що пропускається через кристал) на процеси випаровування та формування складу поверхні GGAAAASS.Зокрема, проведений аналіз результатів досліджень, що стосуються випаровування та порушення стехіометрії поверхні бінарних іонних кристалів при температурній обробці. Оригінальність вакуумної установки полягає в тому, що в однакових вакуумних умовах можуть бути реалізовані наступні методики досліджень: методика електронної оже-спектроскопії, методика мас-спектрометрії, методика емісійних досліджень, методика термічного напилення плівок, методика іонного травлення. При цьому практично на всіх етапах прогрівання зміни інтенсивності оже-піків, що характеризують вміст Ва і ВАО на поверхні, протилежні за знаком: чим більша інтенсивність оже-піку Ва, тим відповідно менша інтенсивність оже-піку ВАО. Зміна вихідної температури прогрівання цього кристала при незмінному за величиною струмі вказаного напрямку через кристал також призводить до зміни швидкості випаровування As, відносний приріст якої зі збільшенням температури зменшується рис.4,б. Дослідження впливу струму на потоки випаровування та формування складу поверхні кристала GAAS (ступінь іонності ll=0,1) при прогріванні у вакуумі показали, що на відміну від кристала ВАО, CAO, SRO (ступінь іонності відповідно l=0.6, ll=0.8, ll=0.7), в кристалах GAAS при подібних процесах, не встановлюються квазістаціонарні стани, при яких стабілізуються потоки компонент, що випаровуються.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ