Гальваномагнітні дослідження фізичних властивостей перспективних матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки і спінової електроніки. Аналіз температурних і польових залежності ефекту Холла, питомого опору та намагніченості в феромагнітних розчинах.
При низкой оригинальности работы "Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Сполуки AIVBVI і тверді розчини на їхній основі, леговані домішками із змінною валентністю, привертають увагу дослідників вже більше тридцяти років. Легування елементами із змінною валентністю телуриду свинцю і його твердих розчинів суттєво модифікує енергетичний спектр носіїв заряду. Положення індукованих глибоких локальних або квазілокальних рівнів (і, відповідно, РФ) залежить від складу твердого розчину, температури, тиску, магнітного поля, типу домішки. Все вищесказане свідчить про перспективність дослідження твердих розчинів на основі PBTE, SNTE і GETE, легованих домішками із змінною валентністю. Дисертаційна робота виконувалась відповідно до плану науково-дослідницьких робіт Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України згідно з темами: ""Розробка технології радіаційно стійких напівпровідникових матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки та спінтроніки"" (номер державної реєстрації 0104U006143) - дисертант вирощував монокристали сполук AIVBVI з домішками зі змінною валентністю (Ga, Yb, Mn), вимірював розподіл домішок методом X-променевого флюоресцентного аналізу та електрофізичні параметри; ""Пошук напівпровідникових кристалів типу AIVBVI з максимальною температурою магнітного впорядкування домішок перехідних елементів і рідкісноземельних металів для спінової електроніки"" (номер державної реєстрації 0102U003326) - дисертант одержав нові напівмагнітні тверді розчини, леговані одночасно двома магнітними домішками, визначив вміст компонентів та вимірював електрофізичні параметри; ""Розробка наукових основ технології вирощування кристалів з магнітними домішками і низькорозмірних структур на їхній основі"" (номер державної реєстрації 0199U003769) - дисертант приймав участь у вдосконаленні технології одержання твердих розчинів, легованих магнітними домішками (модифікація конструкції печі та дослідження повздовжнього та радіального температурних градієнтів ростової печі).Обговорюється модифікація енергетичного спектра носіїв заряду в легованих напівпровідниках при зміні складу, температури, тиску чи магнітного поля. Відомо, що в PBTE:Ga формуються два глибоких домішкових рівня: EGA1 - в забороненій зоні на 65?70 МЕВ нижче дна зони провідності [2] і резонансний рівень EGA - на 45МЕВ вище дна зони провідності [3]. Метою наших досліджень було визначити характер руху домішкового рівня EGA1 (який стабілізує РФ в забороненій зоні) відносно країв дозволених зон n-Pb1-XGEXTE:Ga та побудувати діаграму перебудови енергетичного спектра носіїв заряду під дією тиску. Щоб однозначно вирішити питання про стабілізацію РФ резонансним рівнем EGA, досліджувались залежності Rh(Т) і ?(Т) на зразках n-Pb1-XSNXTE:Ga (х=0,21 і NGA=2,2 мол. На основі одержаних баричних залежностей концентрації n(P) і енергії Фермі EF(P) запропоновано наступну модель перебудови енергетичного спектра носіїв заряду в n-Pb0,79Sn0,21Te:Ga: під дією тиску резонансний рівень EGA практично за лінійним законом зміщується в напрямку більших енергій відносно середини забороненої зони (при наявності інверсії L-зон при Р?10 кбар) - (рис.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Список литературы
1. Ivanchik I.I., Khokhlov D.R., Morozov A.V., Terekhov A.A., Slynko E.I., Slynko V.Е., de Visser A., Dobrowolski W.D. Giant negative magnetoresistance effect in PBTE(Yb,Mn) // Phys. Rev. B. -2000. - Vol. 61, N 22. - P. 14889-14892.
2. Слинько В.Є. Експоненційний характер розподілу домішок у сполуках AIVBVI //Вісник Львівського ун-ту. Серія фізична. -2001. - Вип. 34. - С. 291-295.
3. Khokhlov D., Ivanchik I., Kozhanov A., Morozov A., Slynko E., Slynko V., Dobrowolski W., Story T. Negative magnetoresistance in PBTE(Mn, Cr) // International Journal of Modern Physics B. -2002. - Vol. 16, Nos. 20, 21 & 22. - Р. 3343-3346.
4. Racka K., Kuryliszyn I., Arciszewska M., Dobrowolski W., Broto J. -M., Portugall O., Rakoto H., Raquet B., Dugaev V., Slynko E.I., and. Slynko V.Е. Anomalous Hall Effect in Sn1-x-YMNXEUYTE and Sn1-x-YMNXERYTE Mixed Crystals // Journal of Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism. - 2003. -Vol. 16, No. 2. - Р.289-291.
5. Морозов А.В., Кожанов Е.А., Артамкин А.И., Слынько Е.И., Слинько В.Е., Dobrowolski W.D., Story T., Хохлов Д.Р. Стабилизация уровня Ферми и отрицательное магнитосопротивление в PBTE (Mn,Cr) // ФТП. - 2004 -Т. 38, Вып. 1. - С. 30-33.
9. Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия в сплавах Pb1-XSNXTE // ФТП. - 2006. - Т. 40, Вып. 8. - С. 922-926.
10. Kuryliszyn-Kudelska I., Dobrowolski W., Arciszewska M., Domukhovski V., Dugaev V.K., Slynko V.E., Slynko E.I., Fita I.M. Curie temperature control by band parameters tuning in Pb1-x-y-ZMNXSNYEUZTE // Semicond. Sci. Technol. - 2006. - Vol. 21. - P. 1083-1089.
11. Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-XSNXTE под давлением // ФТП. - 2007. - Т. 41, Вып.2. - С. 149-153.
12. Слинько В.Є.. Про експоненційний характер розподілу домішок в телуридах олова і свинцю// Міжнародна конференція студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРІКА-2001. Тези доповідей. - Львів. - 2001, 16-18 травня. - С. 142-143.
13. Racka K., Kuryliszyn I., Arciszewska M., Dobrowolski W., Slynko E.I., SLYNKOV.E. Anomalous Hall Effect in Sn1-x-YMNXEUYTE and Sn1-x-YMNXERYTE Mixed Crystals// XXX International School on the Physics of Semiconducting compounds. - Jaszowiec (Poland). - 2001, June 1-8. - P. 125.
14. Волкова О.С., Голубев А.В., Слынько В.Е., Скипетров Е.П., Зверева А.З. Энергетический спектр сплавов Pb1-XGEXTE:Ga под давлением // Тезисы докладов 5-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто - и наноэлектронике. - Санкт-Петербург (Россия). - 2003, 1-5 декабря. - С. 4.
15. Скипетров Е.П., Зверева Е.А. Волкова О.С., Голубев А.В., Слынько В.Е. Фотопроводимость сплавов Pb1-XGEXTE, легированных галлием и иттербием// Тезисы докладов XVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. - Москва (Россия). - 2004, 25-28 мая. - С. 93.
16. Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Глубокие уровни галлия в сплавах Pb1-XSNXTE// II Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. - Чернівці-Вижниця (Україна). Тези доповідей. Т. 2. - 2004, 20-24 вересня. - С. 63.
17. Skipetrov E.P., Golubev A.V., Dmitriev N.N., Slynko V.E. Gallium-induced resonant level in Pb1-XSNXTE under pressure// Proc. JOINT 20th AIRAPT & 43th EHPRG International Conference on High Pressure Science and Technology. - Karlsruhe (Germany). - 2005. - Р.T3 -P111-1-4.
18. Skipetrov E.P., Golubev A.V., Slynko E.I., Slynko V.E. Deep impurity states in Pb1-XSNXTE doped with gallium// Abstracts 23rd International Conference on Defects in Semiconductors. - Awaji Islands, Hyogo, Japan. - 2005. - Р.TUP.88.
19. Dobrowolski W., Brodowska B., Arciszewska M., Kuryliszyn-Kudelska I., Domukhovski V., Wojcic M., Slynko V.E., Slynko E.I., Dugaev V.K. Magnetic Properties of Ge1-x-YMNXEUYTE Mixed Crystals // 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2006. - Vienna (Austria). - 2006, 24-28 July.
20. Brodowska B., Dobrowolski W., Kuryliszyn-Kudelska I., Arciszewska M., Wojtowicz Т., Slynko E.I., Slynko V.E., Liu X. and Furdyna J.K. Magnetoresistance in the vicinity of ferromagnet - paramagnet phase transition in semimagnetic semiconductors// XXXVI International School on the Physics of Semiconducting Compounds. - Jaszowiec (Poland). - 2007, June 1-8. - P. 39.
Список використаних джерел: 21. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович З., Ромчевич Н., Хохлов Д.Р. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы //ФТП. - 1998. - Т. 32, N6. - С. 679-683.
22. Волков Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца // Успехи физических наук. - 2002. - Т. 172, N 8. - С. 875-906.
23. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Skipetrova L.A., Belousov V.V., Mousalitin A.M. Gallium-induced defect states in Pb1-XGEXTE // J. Cryst. Growth. - 2000. - V. 210, N3. - P. 292-295.
24. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.; Наука, 1979. - 416 с.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
