Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
При низкой оригинальности работы "Властивості сполук впровадження водню, барію і йоду на основі шаруватих кристалів InSe та GaSe", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Відмінність хімічних звязків всередині одиничного шару та між шарами зумовлює не тільки високу анізотропію багатьох фізичних властивостей, але також породжує певні особливості в структурі дефектів. Метод легування, як метод керування властивостями вихідних кристалів, що широко застосовується в елементарних напівпровідниках, для шаруватих кристалів не дає значних переваг - тому необхідні інші методи впровадження домішок. немає відомостей про дослідження наночасток сполук А3В6 отриманих механічними методами та їх інтеркалатів, що є цікавим не тільки з метою дослідження зміни фізико-хімічних властивостей, але й точки зору їх практичного використання як матеріалів із розвинутою внутрішньою поверхнею для систем накопичення водню, джерел високої енергії, надґраткових структур, тощо; Францевича НАН України, зокрема теми: 0101U003210 «Шаруваті халькогеніди та інтеркалянти: фізико-хімічні процеси та їх моделювання», яка виконувалась за постановою Бюро ВФТПМ Президії НАН України від 30.05.2000 р.; теми 0107U001227 «Дослідження процесів інтеркаляції шаруватих кристалів А3В6 та А5В6 та нанообєктів на їх основі», яка виконувалась за постановою Бюро ВФТПМ Президії НАН України від 10.10.2006 р., Протокол №14. При виконанні науково-дослідних робіт роль автора дисертації полягала у вивченні впливу домішок (водню, барію, йоду), впроваджених електрохімічним та термічно-експозиційним методом, на властивості шаруватих кристалів INSE та GASE; розробці методу отримання нанорозмірних шаруватих сполук А3В6 за допомогою ультразвукового диспергування та дослідженню їх властивостей при переході в нанокристалічний стан.Зміщення максимуму Еекс в область більших енергій на 7 МЕВ в інтервалі вмісту водню 0<x?0,4 для GASE та на 4,5 МЕВ для INSE (0<x?0,5) зумовлено двома факторами: перший - це зміна пружних постійних між шарами, що приводить до збільшення ширини забороненої зони Eg; другий - зміна енергії звязку екситона R0, яку можна пояснити зміною ефективної маси в результаті процесу впровадження. З метою підвищення кількості впровадженого водню в шаруваті кристали, були досліджені сполуки впровадження водню на основі попередньо опромінених перпендикулярно до шарів (^) і паралельно шарам (||) монокристалів GASE. При цій температурі відбувається інтенсивний вихід атомів водню із кристалу, тобто реалізовується наступний перехід: водень у ван-дер-ваальсівській щілині ® вільний молекулярний водень. Дослідження електрохімічного впровадження водню в шаруваті кристали INSE i GASE показали, що водень, який перебуває в атомарному стані, входить у ван-дер-ваальсові щілини й утворює молекули Н2. В кристалах INSE виявлено високоенерґетичний зсув Еекс при зростанні кількості водню х, що можна пояснити зміною забороненої зони Eg із зростанням тиску водню в міжшаровій щілині.
План
Основний зміст роботи
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
