При низкой оригинальности работы "Виготовлення напівпровідникових приладів й інтегрованих схем", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Реферат Мета роботи - Технологічні процеси виготовлення напівпровідникових приладів й інтегрованих схем (ІС), а також визначити і побудувати основні залежності, які характеризують структуру. Методи дослідження - чисельні розрахунки за відомими, отриманими математичними формулами, що описують особливості структури; використання теоретичних відомостей, що стосуються технології виробництва напівпровідників; використання можливостей ЕОМ для визначення необхідних параметрів і залежностей. Курсовий проект направлений на закріплення теоретичних знань з технологічних основ електроніки і практичне засвоєння методик розрахунку параметрів p-n перехід, характеристик напівпровідникових приладів та побудови ВАХ, для розрахунку топології і визначення структури діоду. В результаті виконання роботи отримано ряд параметрів, а також побудовані залежності, що достатньо повно характеризують даний p-n перехід. Вступ В основі роботи абсолютної більшості напівпровідниковим приладів лежать фізичні явища в електронно-дірковому переход
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
