Встановлення зв"язку між характером і ступенем відхилу від стехіометрії або концентрацією домішки CdS і структурою та фізичними властивостями CIS. Мікрострукторне, рентгенодифракційне дослідження і вимірювання механічних властивостей одержаних зразків.
Одним із основних методів керування властивостями CIS, який дозволяє змінювати навіть тип провідності, є відхил від стехіометрії, характер якого визначає тип і концентрацію власних дефектів. Для однозначної ідентифікації власних дефектів в CIS необхідно мати можливість: 1) вводити в кристал дефекти переважно одного типу і 2) контролювати та змінювати їх концентрацію. У звязку з цим в дисертації запропоновано використання методу “контрольованих атомних дефектів”, коли в CIS в результаті відповідної зміни складу вводяться дефекти нестехіометрії переважно одного типу. Мета роботи полягала у встановленні звязку між характером і ступенем відхилу від стехіометрії або концентрацією домішки CDS, з одного боку, і структурою та фізичними властивостями CIS, з іншого боку. Встановлено кореляцію між складом, типом та концентрацією дефектів нестехіометрії, структурою i фізичними властивостями при цілеспрямованому введенні дефектів переважно одного типу шляхом використання методу “контрольованих атомних дефектів”.Це визначило необхідність проведення систематичного дослідження впливу характеру і ступеня відхилу від стехіометрії на структуру і властивості CIS при цілеспрямованому введенні дефектів переважно одного типу з контрольованою концентрацією. За результатами мікроструктурного, ренгенодифракційного аналізів, вимірювання Н визначено ОГ CIS при недостачі та надлишку Se відносно стехіометричного складу (49,9-51,0 ат.% при 620 К), в межах якої виявлено складний характер концентраційних залежностей а, с, Н, ширини дифракційних ліній B поблизу 50,5 ат. При подальшому введенні дефектів (понад 2 ат.%) утворення нових вакансій може стати термодинамічно невиправданим і почнуть зявлятися дефекти іншого типу, наприклад, Sei або антиструктурні дефекти. Хоча CIS може виявляти провідність як р-, так і n-типу в залежності від відхилу від стехіометрії, звичайно стехіометрична сполука має дірковий тип провідності, що може бути викликано зсувом максимуму на кривих ліквідуса та солідуса в бік надлишку Se. Посилення ролі розсіювання на іонізованих дефектах, що має прояв у зростанні MH в усьому температурному інтервалі при надлишку Se, цілком закономірне, бо збільшення вмісту Se призводить до росту концентрації власних дефектів.
План
Основний зміст роботи
Список литературы
1.Рогачева Е.И., Таврина Т.В. Влияние отклонения от стехиометрии на свойства CUINSE2 // Неорганические материалы. -1997. -Т. 33, № 10.- С. 1196-1200.
2.Рогачева Е.И., Таврина Т.В., Галкин С.Н. Зависимость микротвердости CUINSE2 от нагрузки на индентор // Неорганические материалы.-2000.-Т.36, №2.-С.173-176.
3.T.V. Tavrina, L.I. Gladkikh, E.I. Rogacheva. Defect structure of CUINSE2 semiconductor at deviation from stoichiometry // Functional Materials. -2000.-Vol.7, ?4 (2).-P. 769-773.
5.E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina. CDS effect on CUINSE2 structure and properties // Functional Materials. -2001. -Vol.8, ?4 -P.635-641.
6.E. Rogacheva, T. Tavrina, L. Gladkikh. NONSTOICHIOMETRY and Defect Structure of CUINSE2 // Jpn. J. Appl. Phys.- 2000. -Vol.39, Suppl. 39-1. -P. 397-398.
7.E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina. Transport Properties of p-type CUINSE2 // Jpn. J. Appl. Phys. -2000. -Vol.39, Suppl. 39-1. -P. 261-262.
8.Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Influence of Deviation from Stoichiometry on the Properties of CUINSE2 // Proc. XI Conf. on Ternary and Multinary Compounds, ICTMC-11.- Inst. Phys. Conf. Ser.- № 152.- Salford (Great Britain): IOP Publishing Ltd. - 1998.- P. 155-158.
9.ROGACHEVAE.I., Tavrina T.V. Nonstoichiometry and properties of CUINSE2 // Abstr. of II International School-Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductors.- Chernivtsi (Ukraine).-1997.-P.52.
10.Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Deviation from stoichiometry and properties of CUINSE2 // Abstr. XI International Conf. on Ternary and Multinary Compounds.- Salford (Great Britain).- 1997.- P. P.1.87.
11.Рогачева Е.И., Таврина Т.В. Масштабный эффект при микровдавливании в CUINSE2 // Тезисы докл. на IV Научно-технической конференции “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогалогенідів”.-Ужгород (Украина).-1998.- С. 169.
12.Mudriy A.V., Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Optical and X-Ray Diffraction Characterization of CUINSE2 Semiconductor Compound // Abstr. III International School-Conference on Physical Problems in Material Science of Semiconductors, PPMSS"99.- Chernivtsi (Ukraine).-1999.- P.105.
13.Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Gladkikh L.I. Nonstoichiomety and Properties of CUINSE2 // Abstr. European Material Conference 1999 Spring Meeting.- Strasbourg (France).- 1999.-P. O-14.
14.Rogacheva E.I., Tavrina T.V. Transport Properties of p-type CUINSE2 // Abstr. XII Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds.- Hsinchu (Taiwan).-2000.- P. Tu-B3-1.
15.Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Gladkikh L.I., Koval" L.P. NONSTOICHIOMETRY and Defect Structure of CUINSE2 //Abstr. XII Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds.- Hsinchu (Taiwan).- 2000.-P. Fr-A2-2.
Список цитованої літератури
1.Hashimoto Y., Nishiwaki S., Negami T. and Wada T. Stabilization of manufacturing process of CIGS solar cell with treatment of CIGS surface by In and S containing solution // Jpn. J. Appl. Phys.-2000.- Vol. 39, Suppl. 39-1.- P.415-417.
2.Rogacheva E.I. Nonstoichiometry in the I-III-VI2 compounds // Proc. XI Conf. on Ternary and Multinary Compounds, ICTMC-11.- Inst. Phys. Conf. Ser.- № 152.- Salford (Great Britain): IOP Publishing Ltd. - 1998.- P.1-14.
