Анализ программной и аппаратной частей, калибровочных характеристик устройства для автоматического исследования нелинейных параметров высокотемпературной сверхпроводимой керамики в переменных магнитных полях. Поведение амплитуд гармоник намагниченности.
При низкой оригинальности работы "Устройство для автоматического исследования нелинейных параметров ВТСП-керамики YBa2Cu3O7-x в переменных магнитных полях", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Устройство для автоматического исследования нелинейных параметров ВТСП-керамики YBA2Cu3O7-x в переменных магнитных поляхВо всех экспериментах создается переменное, постоянное магнитное или электрическое поле (а также их суперпозиция) и регистрируется сигнал отклика ВТСП образца. Из этого следует, что первичными измеряемыми величинами во всех исследованиях являются амплитуды, частоты, сдвиги фаз переменных электрических или магнитных полей. Например, при проведении исследований ВТСП в переменных магнитных или электрических полях во всех экспериментальных исследованиях [5-8, 10, 13] фиксировались только амплитуды сигнала отклика мнимых и вещественных составляющих намагниченности, поверхностного импеданса или магнитосопротивления. По запуску внешнего прерывания производится синхронная оцифровка сигналов измерительной катушки и сигнала задающей катушки. Генераторный модуль изготовлен по принципу “материнской платы” - на одной плате размещаются управляющий контроллер с элементами питания и разъемы для подключения идентичных плат генераторных модулей ГМ1 - ГМ3, модуль для задания постоянной составляющей (МПС) и плата четырехканального сумматора.Исходя из свойств аппаратной и программной частей устройства, позволяющей синхронно оцифровывать задающий гармонический сигнал переменного внешнего магнитного поля h(t), в отсутствии постоянного, и сигнал отклика U(t) сверхпроводящего образца, проведен цикл измерений. Для каждого из 16 значений частот в диапазоне от 288 Гц до 1368 Гц с шагом в 72 Гц менялась амплитуда приложенного переменного магнитного поля hm в диапазоне от 5 до 30 Oe с шагом в 2.5 Oe. На рисунке 5 представлена зависимость динамики изменения формы зависимости мгновенных значений сигнала отклика U от приложенного переменного магнитного поля h для шести различных амплитуд hm. На рисунке 6 показаны зависимости амплитуды первой гармоники U1 от амплитуды переменного магнитного поля hm для различных частот. Амплитуды первой гармоники в полях меньших hm 10 Ое амплитуда первой гармоники имеет практически линейным ростом.В заключении отметим, что изготовленное устройство обладает существенными преимуществами по сравнению с аналогичными системами, как со стороны автоматизации измерений, так и со стороны технических характеристик (широкий диапазон задания амплитуд и частот переменных магнитных полей, частотный диапазон, точность задания частоты, синхронная оцифровка двух сигналов, сопряжение с компьютером и др.).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
