Анализ значения метода туннельной спектроскопии для изучения особенностей не только заполненных, но и пустых энергетических уровней. Исследование многочастичных особенностей в туннельных спектрах, связанных с неупругими процессами при туннелировании.
При низкой оригинальности работы "Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Работа выполнена в Институте радиотехники и электроники РАН Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор Каган Мирон Соломонович доктор физико-математических наук, профессор Защита состоится 16 мая 2008 г., в 10-00 на заседании диссертационного совета Д 002.231.01 при Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 125009, Москва ГСП-9, ул.Нанесение металла на поверхность GAAS дает возможность управлять величиной электрического поля между d-слоем и металлом и, следовательно, изменять асимметрию потенциала вблизи d-слоя, а также концентрацию 2D электронов в нем. Кроме того, внешние воздействия влияют не только на электроны в d-слое, но и на параметры GAAS (зарядовое состояние остаточных примесей, параметры зонной структуры), которые тоже могут менять форму квантовой ямы d-слоя. Было показано, что в асимметричной потенциальной яме приповерхностного d-слоя наблюдается значительный рост подвижности при увеличении концентрации 2D электронов как за счет напряжения на затворе структуры Al/d-GAAS, так и при введении второго слоя d-легирования. Изготовленный на основе этих исследований полевой транзистор с пятью d-легированными слоями в подзатворной области GAAS позволил обеспечить более эффективное управление проводимостью канала, чем транзистор на основе одиночного d-слоя. Возрастание подвижности электронов с ростом плотности ДЭС в структурах с приповерхностным d-легированием и металлическим затвором, а также увеличение вклада в проводимость канала высоко лежащих 2D-подзон свидетельствуют о возможности более эффективного управления проводимостью канала полевого транзистора с несколькими d-слоями по сравнению с каналом на основе одиночного d-слоя.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
