Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
Аннотация к работе
Міністерство освіти і науки України Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника ТОПОЛОГІЧНА ОЦІНКА ЙМОВІРНОСТІ УТВОРЕННЯ ВЛАСНИХ ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ В КРИСТАЛАХ A B ЗІ СТРУКТУРОЮ NaCl КВАЛІФІКАЦІЙНА РОБОТА з фізики м. Івано-Франківськ 2008 р. ЗМІСТ Вступ ………………………………………………………………………….... Дефекти в кристалах ……………………………………………..… 6 2. АТОМНІ ДЕФЕКТИ В РЕАЛЬНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ………. КЛАСИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТІВ …………………………..……………… 24 3.1. Вакансії і міжвузлові атоми …………………………………..….. Домішкові атоми ……………………………………………..……. 41 ВСТУП Проблема утворення власних точкових дефектів (ВТД) в напівпровідниках представляє великий науковий і практичний інтерес. Запропоновані до теперішнього часу на основі різних феноменологічних моделей оцінки ентальпії утворення вакансій [3, 6] і антиструктурних дефектів (АСД) [6] в сполуках A B неоднозначні. Проте у ряді випадків вимагається лише виділити переважаючий тип ВТД і надалі використати експериментальні дані по інтегральній оцінці області гомогенності. КРИСТАЛИ З|із| агрегатних станів речовини два - рідина і тверде тіло| - називаються такими, що конденсують. У цих станах тіла представляються як сукупності (ансамблі) сильно взаємодіючих частинок|часток,часточок| (атомів, ядер, електронів і т. д.). Розрізняють: а) нульмерні| (точкові) дефекти: вакансії, міжвузлові| атоми, домішкові атоми, малі скупчення цих дефектів (характерний|вдача| розмір цих дефектів - декілька міжатомних відстаней по всіх напрямах|направленнях|); б) одномірні|одномірні| (лінійні) дефекти - ланцюжки точкових дефектів, дислокації - особливий тип дефектів, що приводять|призводять,наводять| до неправильного чергування атомних площин|плоскості|, їх зсуву з|із| правильних положень|становищ|;|зміщенню| в) двовимірні (поверхневі|поверхові,зверхні|) дефекти - дефекти упаковки (укладання) атомних площин|плоскості|, поверхні кристалів, межі|кордону| блоків, зерен, доменів; г) тривимірні|трьохмірні| (обємні) дефекти - пори, включення|приєднання|, виділення, різні макроутворення. Якщо ж у міжвузля переходить атом в обємі кристала, то утворюється дефект Френкеля. Сума в правій частині|частці| є геометрична прогресія, і тому Z (2.6) Вільна енергія F , відповідна одній g-й мірі свободи, буде рівна F = -k T ln Z = , (2.7) а вільна енергія всієї системи 3N незалежних осцилято|рів, тобто вся коливальна вільна енергія кристала, получаєтся підсумовуванням (2.7) по всім g: F (2.8) При високих температурах ( >nr і позначаючи|значивши| концентрацію n /N через с |, одержуємо|отримуємо| cr= .