Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
При низкой оригинальности работы "Топологічна оцінка ймовірності утворення власних точкових дефектів в кристалах А VI В VI зі структурою NaCI", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Міністерство освіти і науки України Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника ТОПОЛОГІЧНА ОЦІНКА ЙМОВІРНОСТІ УТВОРЕННЯ ВЛАСНИХ ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ В КРИСТАЛАХ A B ЗІ СТРУКТУРОЮ NaCl КВАЛІФІКАЦІЙНА РОБОТА з фізики м. Івано-Франківськ 2008 р. ЗМІСТ Вступ ………………………………………………………………………….... Дефекти в кристалах ……………………………………………..… 6 2. АТОМНІ ДЕФЕКТИ В РЕАЛЬНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ ………. КЛАСИФІКАЦІЯ ДЕФЕКТІВ …………………………..……………… 24 3.1. Вакансії і міжвузлові атоми …………………………………..….. Домішкові атоми ……………………………………………..……. 41 ВСТУП Проблема утворення власних точкових дефектів (ВТД) в напівпровідниках представляє великий науковий і практичний інтерес. Запропоновані до теперішнього часу на основі різних феноменологічних моделей оцінки ентальпії утворення вакансій [3, 6] і антиструктурних дефектів (АСД) [6] в сполуках A B неоднозначні. Проте у ряді випадків вимагається лише виділити переважаючий тип ВТД і надалі використати експериментальні дані по інтегральній оцінці області гомогенності. КРИСТАЛИ З|із| агрегатних станів речовини два - рідина і тверде тіло| - називаються такими, що конденсують. У цих станах тіла представляються як сукупності (ансамблі) сильно взаємодіючих частинок|часток,часточок| (атомів, ядер, електронів і т. д.). Розрізняють: а) нульмерні| (точкові) дефекти: вакансії, міжвузлові| атоми, домішкові атоми, малі скупчення цих дефектів (характерний|вдача| розмір цих дефектів - декілька міжатомних відстаней по всіх напрямах|направленнях|); б) одномірні|одномірні| (лінійні) дефекти - ланцюжки точкових дефектів, дислокації - особливий тип дефектів, що приводять|призводять,наводять| до неправильного чергування атомних площин|плоскості|, їх зсуву з|із| правильних положень|становищ|;|зміщенню| в) двовимірні (поверхневі|поверхові,зверхні|) дефекти - дефекти упаковки (укладання) атомних площин|плоскості|, поверхні кристалів, межі|кордону| блоків, зерен, доменів; г) тривимірні|трьохмірні| (обємні) дефекти - пори, включення|приєднання|, виділення, різні макроутворення. Якщо ж у міжвузля переходить атом в обємі кристала, то утворюється дефект Френкеля. Сума в правій частині|частці| є геометрична прогресія, і тому Z (2.6) Вільна енергія F , відповідна одній g-й мірі свободи, буде рівна F = -k T ln Z = , (2.7) а вільна енергія всієї системи 3N незалежних осцилято|рів, тобто вся коливальна вільна енергія кристала, получаєтся підсумовуванням (2.7) по всім g: F (2.8) При високих температурах ( >nr і позначаючи|значивши| концентрацію n /N через с |, одержуємо|отримуємо| cr= .
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
