Сегнетоэлектрические тонкие плёнки с высокой диэлектрической проницаемостью и их применение в конденсаторах динамических запоминающих устройств с произвольным доступом. Использование растворных методов синтеза. Температурные параметры процессов синтеза.
При низкой оригинальности работы "Тонкопленочные сегнетоэлектрики, полученные из растворов экстрактов", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Тонкопленочные сегнетоэлектрики, полученные из растворов экстрактовСегнетоэлектрические тонкие пленки с высокой диэлектрической проницаемостью привлекли большое внимание за последние несколько десятилетий изза их возможного применения в конденсаторах динамических запоминающих устройств с произвольным доступом (DRAM), энергонезависимых запоминающих устройств, оптико-электронных приборов и инфракрасных датчиках (1-4 ). В последние годы вложение пассивных компонентов в печатную плату (PCB) или основание пакета становится ключевой технологией для системы в пакете (SIP). Большая востребованность сегнетоэлектрических тонкопленочных материалов сталкивается с проблемой их синтеза, который требует использования высокочистых исходных веществ и наукоемкого высокотемпературного синтеза. Пленки сегнетоэлектриков толщиной 70-100 нм выращивали методами реактивной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на кремниевых подложках [1], радиочастотным магнетронным распылением [2], ВЧ-катодным распылением [3], методом лазерного осаждения на подложках LIF, Au (111) (Nd-ИАТ лазер, 25 Дж/см 2) [4] при температурах подложки 490-510 ?С в атм. В нашей работе пленки сегнетоэлектриков получены экстракционно-пиролитическим методом [7], в котором органические прекурсоры формируются в процессе экстракции металлов из водных растворов их неорганических солей, при этом примесные катионы остаются в водной фазе.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
