Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов. Резонаторы и фильтры на основе МПЛ. Логические ИМС и базовые ячейки. Максимально допустимая относительная погрешность воспроизведения площади конденсатора. Диодное включение интегрального транзистора.
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образованияВ тонкопленочных микросхемах различают преимущественно три варианта конструкции конденсаторов: конденсаторы с трехслойной структурой (две проводящие обкладки, разделенные диэлектриком); многослойные конденсаторы, отличающиеся от предыдущего варианта повторяющимся нанесением проводящих и диэлектрических пленок; гребенчатые конденсаторы, у которых емкость образуется за счет краевого эффекта. Если расчетная площадь конденсатора S*-I мм , его можно выполнять либо в виде последовательно соединенных конденсаторов (Рисунок 1, б), либо в виде двух пленочных обкладок и подложкой в качестве диэлектрика (Рисунок 1.1,г). Для получения еще меньшей емкости (доли пикофарады) можно выполнить гребенчатые конденсаторы или конденсаторы в виде двух параллельных полосок (Рисунок 1, е). Емкость гребенчатого конденсатора определяется по формуле: C= pl (1.1) где - коэффициент, определяемый по графику, приведенному на рисунке 1.26; l - длина общей границы двух гребенок; р - результирующая проницаемость подложки и среды (воздух или заливка) (1.4) где - погрешность воспроизведения удельной емкости (составляет 5-10$); - температурная погрешность емкости: бс - температурный коэффициент емкости (ТКЕ) материала диэлектрика (I°/C); T - максимальная рабочая температура конденсатора (I/°С); - погрешность емкости, обусловленная старением тонкопленочных конденсаторов (не превышает 2-3%).В таблице 2 приведены типичные параметры этих вариантов. Пробивные напряжения UПР зависят от используемого перехода: они меньше у тех вариантов, в которых используется эмиттерный переход (см. таблицу 2). Они зависят от объема перехода и, следовательно, меньше у тех вариантов, у которых используется только эмиттерный переход, имеющий наименьшую площадь. Емкость диода Сд (т. е. емкость между анодом и катодом) зависит от площади используемых переходов; поэтому она максимальна при их параллельном соединении (вариант Б-ЭК). Время восстановления обратного тока ТВ (т. е. время переключения диода из открытого в закрытое состояние) минимально у варианта БК-Э; у этого варианта заряд накапливается только в базовом слое (так как коллекторный переход закорочен).Наиболее широко используются резонаторы, выполненные на основе МПЛ, что позволяет успешно решать задачи миниатюризации различных СВЧ устройств. Фильтрами СВЧ называют пассивные четырехполюсники, осуществляющие передачу СВЧ колебаний в согласованную нагрузку в соответствии с заранее заданной частотной характеристикой. Принято считать, что к узкополосным полосовым (задерживающим) относятся фильтры, имеющие относительную полосу пропускания (задерживания) до 3%, к среднеполосным - от 3% до 10%, к широкополосным - свыше 10%. Поскольку в данной работе микрополосковая линия изучается на примере МПЛ фильтра, уделим фильтрам некоторое внимание. • в - фильтра с разомкнутым параллельно связанными полуволновыми резонаторами, имеющими полосы пропускания 5-20% (ближайшая паразитная полоса пропускания удалена от центральной частоты fo на 2цо .
План
Содержание конденсатор транзистор диодный резонатор
1. Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов
2. Интегральные диоды
3. Элементы ГИС СВЧ: резонаторы и фильтры на основе МПЛ
4. Логические ИМС. Базовые ячейки
Список использованных материалов
1. Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
