Типовые процессы изготовления интегральных микросхем - Курсовая работа

бесплатно 0
4.5 100
Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:




Аннотация к работе
1. Маршрут изготовления структур биполярных ИМС 1.1 Подготовка поверхности подложки 1.2 Термическое окисление 1.3 Нанесение фоторезиста 1.4 Совмещение и экспонирование 1.5 Проявление и задубливание 1.6 Травление SiO2 1.7 Удаление фоторезиста 1.8 Локальная диффузия 1.9 Удаление SiO2 1.10 Эпитаксия 1.11 Термическое окисление 1.12 Вторая фотолитография 1.13 Локальная диффузия 1.14 Удаление оксида кремния 1.15 Термическое окисление 1.16 Третья фотолитография 1.17 Локальное анизотропное травление 1.18 Удаление SiO2 1.19 Нанесение защитного слоя SiO2-Si3N4 1.20 Четвертая фотолитография 1.21 Травление Si3N4 1.22 Ионное легирование 1.23 Удаление фоторезиста 1.24 Пятая фотолитография 1.25 Травление SiO2-Si3N4 1.26 Шестая фотолитография 1.27 Нанесение AL, седьмая фотолитография 2. Разработка биполярной ИМ методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой 2.1 Подготовка поверхности подложки 2.2 Первое термическое оксидирование 2.3 Первая фотолитография 2.4 Нанесение фоторезиста 2.5 Термообработка (первая сушка) 2.6 Совмещение и экспонирование 2.7 Проявление 2.8 Термообработка (вторая сушка) 2.9 Передача изображения с фотомаски на диоксид кремния 2.10 Жидкостное удаление фоторезиста 2.11 Локальная диффузия 2.12 Удаление пленки диоксида кремния 2.13 Эпитаксиальное наращивание 2.14 Второе термическое оксидирование 2.15 Вторая фотолитография 2.16 Локальная диффузия 2.17 Удаление диоксида кремния 2.18 Третье термическое оксидирование 2.19 Третья фотолитография 2.20 Локальное анизотропное травление 2.21 Удаление пленки диоксида кремния 2.22 Нанесение защитного слоя SiO2 2.23 Нанесение защитного слоя Si3N4 2.24 Четвертая фотолитография 2.25 Травление Si3N4 2.26 Ионное легирование 2.27 Удаление фоторезиста 2.28 Пятая фотолитография 2.29 Травление SiO2-Si3N4 2.30 Шестая фотолитография 2.31 Нанесение AL 2.32 Cедьмая фотолитография 2.33 Резка пластины на кристаллы 2.34 Монтаж кристаллов в корпус 2.35 Присоединение электродных выводов 2.36 Герметизация 2.37 Маркировка 2.38 Упаковка 3. Технологический процесс: - поместить пластины из транспортировочной кассеты в пазы кварцевой кассеты - лодочки; - лодочку с пластинами установить на площадку загрузочного устройства установки; - запрограммировать: предварительную температуру 1050 ?C, рабочую температуру 1200 ?C, загрузка пластин со скоростью 30 см/мин, нагрев печи со скоростью 20 ?C/мин, подача сухой - влажный - сухой O2, время выдержки 1 час, охлаждение печи 8 ?C/мин, выгрузка пластин 30 см/мин. -.

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?