Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
Міністерство освіти і науки України Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Фізико-технічний факультет Кафедра фізики і хімії твердого тіла Спеціальність 6.070101.”Фізика” Дипломна робота Термоелектричні властивості кристалів плюмбум телуриду Івано-Франківськ - 2008 Зміст Вступ………………………………...…………...……………..…….…….3 1. Характеристики напівпровідників………………..……..……...….4 1.1. Термоелектричні властивості тонких і товстих плівок…..…...25 3.2. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок……...………..……………………….………...…..……...30 3.3. Зміна термоелектричних властивостей плівок при радіаційному опроміненні………………………….………………………………………..…41 Висновки…………………………………………………..…...................47 Список використаної літератури………………………….………….…48 Вступ Сполуки - перспективні напівпровідникові матеріали для створення термоелектричних пристроїв, які працюють в інтервалі температур від кімнатної до 800-900 К.Серед плюмбум халькогенідів відрізняється своїми властивостями плюмбум телурид: багатогранний характер енергетичного ( ); порівняно високі рухливості носіїв спектру(N=4); низькі значення граткової теплопровідності ( ); найбільше значення величини , що веде до суттєвого зростання максимального значення термоелектричної добротності( ). Збільшення відношення рухливості носіїв струму до теплопровідності речовини можна досягти введенням ізовалентних атомів заміщення за рахунок зростання розсіювання фотонів і суттєвого зменшення коефіцієнта теплопровідності ( ). Ще одним важливим моментом підвищення є зростання коефіцієнта термо-е.р.с. для області сильного виродження за рахунок селекції носіїв за енергією бар’єрами на границях кристалітів чи на блоках зерен, що особливо ефективно для тонкоплівкового матеріалу. Характерною особливістю напівпровідників, що відрізняє їх від металів, є зростання електропровідності із зростанням температури, причому, як правило, в достатньо широкому інтервалі температур зростання відбувається експоненційно: = (1) Тут k - стала Больцмана, - енергія активації електронів в напівпровідниках,( - коефіцієнт пропорційності (насправді залежить від температури, але повільніше, ніж експоненціальний множник). Проте термін «напівпровідники» часто розуміють у вужчому сенсі як сукупність декількох найбільш типових груп речовин, напівпровідникові властивості яких чітко виражені вже при кімнатній температурі (300 К). Сам алмаз також володіє властивостями напівпровідників, проте величина для нього значно більше, ніж у Ge і Si, тому при Т = 300 К його власна (неповязана з домішками або зовнішніми діями) електропровідність дуже мала. До них відносяться сполуки елементів III групи періодичної системи (Аl, Ga, In) з елементами V групи (Р, Аs, Sb) називаються напівпровідниками типу А В (GaAs, InSb, GaP, InP і тому подібні). Елементи V Групи As, Sb і Bi - напівметали, по властивостях близькі до напівпровідників, а їх найближчі аналоги - сполуки типу і (PbS, РbTe, SnTe, GeTe і тому подібне), що мають в середньому по 5 валентних електрони на атом, утворюють одну з найбільш важливих груп напівпровідників, відому в першу чергу застосуванням РbS, PbSe і РbTe як приймачі інфрачервоного випромінювання. Межі області гомогенності на основі плюмбум телурид були також визначені за допомогою методу Бребрика [29] в інтервалі температур 400-923°С.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
