Роль електронного переносу у формуванні ефективних взаємодій в псевдоспін-електронній моделі з сильною кореляцією електронів на вузлі. Фазові переходи, зумовлені такими взаємодіями. Вплив граткових ангармонізмів на появу фазово-розшарованих станів.
При низкой оригинальности работы "Термодинаміка двопідграткової псевдоспін-електронної моделі в теорії сильнокорельованих електронних систем", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукВідкриття в 1986 році явища високотемпературної надпровідності в сполуках La2-XBAXCUO4, а потім інших шаруватих мідно-оксидних високотемпературних надпровідниках (ВТНП) поставило задачу опису багатьох властивостей даних матеріалів (високе значення Tc, антиферомагнетизм, перехід в діелектричну фазу, структурні фазові переходи, фазове розшарування) і дало нове життя моделям з сильною кореляцією на вузлі. Для аналізу впливу локального ангармонізму на електронну структуру та фізичні властивості ВТНП сполук використовуються моделі, які базуються на врахуванні кореляцій хаббардівського типу при одночасному включенні взаємодії електронів з ангармонічними ступенями вільності. До числа таких моделей відноситься псевдоспін-електронна модель (ПЕМ) - для опису руху частинок у двомінімумних потенціальних ямах використовується псевдо спіновий формалізм (значення відповідають двом рівноважним положенням іона O4). Розрахунки, проведені в наближенні середнього поля показали, що додаткове внесення в модель далекосяжної псевдоспін-псевдоспінової взаємодії може приводити до впорядкування псевдо спінів і появи сегнетоелектричної фази. Наукова новизна одержаних результатів: В рамках теорії збурень за електронним переносом вперше отримано ефективний гамільтоніан для псевдоспін-електронної моделі, який описує взаємодію між електронами на сусідніх вузлах гратки залежну від орієнтації та динаміки псевдо спінів.За допомогою теорії збурень по переносу для однопідграткової псевдоспін-електронної моделі (ПЕМ) отримано ефективний гамільтоніан, що описує електронні взаємодії при заданій псевдо спіновій конфігурації. Виявлено роль таких взаємодій у формуванні зарядів впорядкованого стану (модуляція концентрації n та середнього значення псевдо спіну ). Встановлено умови появи зарядового впорядкування при різних значеннях параметрів моделі. Побудовано фазові (T, h) та (T, n) діаграми при врахуванні далекосяжної псевдоспін-псевдоспінової взаємодії у наближенні середнього поля та точному врахуванні короткосяжної взаємодії в межах двочастинкового кластера, встановлено рід фазових переходів. У граничному випадку відсутності переносу електронів та далеко діючої псевдоспін-псевдоспінової взаємодії проведено розрахунки діелектричної сприйнятливості моделі в області низьких температур для різних режимів: та .
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
