Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора - Статья

бесплатно 0
4.5 179
Исследование термической стабильности кластеров и точечных дефектов в n-Si, выращенном методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора. Процесс аннигиляции вакансионного типа дефектов кластеров с межузельными атомами кремния.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:



Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?