Тепловой режим лазерного дальномера - Контрольная работа

Прохоров сказал: «Квантовая электроника возникла в конце 1954 и начале 1955 г., фундаментом квантовой электроники следует считать явление индуцированного излучения, предсказанное А. Сущность этого явления заключается в том, что возбужденные атомы под воздействием внешнего излучения переходят в состояние с меньшей энергией, излучая при этом электромагнитные волны. Фабриканту и его сотрудникам, записано: «Способ усиления электромагнитных излучений (ультрафиолетового, видимого, инфракрасного и радио диапазонов волн), отличающийся тем, что усиливаемое излучение пропускают через среду, в которой с помощью вспомогательного излучения или другим путем создают избыточную по сравнению с равновесной концентрацию атомов других частиц или их систем на верхних энергетических уровнях, соответствующих возбужденным состояниям». На основании спектроскопических исследований он предположил, что электрический разряд в смеси неона и гелия должен создать инверсии населенностей уровней, и, несмотря на скептицизм ученых, знакомых с его работой, упорно искал экспериментальное подтверждение лазерного эффекта в газах. Создание первых лазеров ускорило развитие новой области физики - нелинейной оптики, изучающей нелинейные оптические эффекты при воздействии на среды мощного вынужденного излучения.Передающее устройство дальномера включает первый полупроводниковый лазер и объектив, между которыми введено наклонное зеркало, отражающее излучение первого лазера в сторону объектива, а также второй полупроводниковый лазер. Выходной пучок излучения второго лазера проходит сквозь наклонное зеркало в направлении объектива параллельно пучку излучения первого лазера. Наклонное зеркало представляет собой спектроделительное покрытие, прозрачное для излучения второго лазера и отражающее излучение первого лазера. Указанная задача решается за счет того, что в известном лазерном дальномере, содержащем приемное устройство, включающее фотоприемник и приемную оптическую систему, и передающее устройство, включающее первый полупроводниковый лазер и объектив, между которыми введено наклонное зеркало, отражающее излучение первого лазера в сторону объектива, а также второй полупроводниковый лазер, расположенный так, чтобы его выходной пучок излучения проходил сквозь наклонное зеркало в направлении объектива параллельно пучку излучения первого лазера, причем излучающие площадки лазеров находятся в фокальной плоскости объектива, оптическая ось которого параллельна оптической оси приемного устройства, являющейся оптической осью дальномера, первый и второй лазеры выполнены с разной длиной волны излучения, их излучающие площадки расположены на оптической оси объектива в его фокальной плоскости так, что изображения их излучающих переходов, создаваемые объективом в плоскости цели, покрывают заданное поперечное сечение цели с минимальной шириной неосвещенных промежутков, причем неосвещенным промежуток между изображениями излучающих переходов первого и второго лазеров, ближайших к оптической оси дальномера, не превышает минимальных угловых размеров заданной малоразмерной цели, а наклонное зеркало представляет собой спектроделительное покрытие, прозрачное для излучения второго лазера и отражающее излучение первого лазера, при этом разность длин волн первого и второго лазеров превышает интервал между спектральными зонами пропускания и отражения спектроделительного покрытия, приемный объектив прозрачен для длин волн излучения обоих лазеров, а фотоприемник выполнен с возможностью приема излучения на обеих длинах волн. Между каждым из лазеров и наклонным зеркалом может быть введен коллимирующий элемент, а между наклонным зеркалом и объективом введен рассеивающий элемент, причем фокусные расстояния объектива F, коллимирующего элемента F1 и рассеивающего элемента F2 удовлетворяют соотношению F·F1/F2=а·, где а - размер излучающей площадки лазера, а-требуемая угловая расходимость выходного излучения лазерного дальномера.Рисунок 1. Принципиальная схема электронного устройства Рисунок 2.

Содержание

Введение

1. Основная часть

1.1 Теоретические основы электронного устройства

2. Практическая часть