Изучение температурных зависимостей удельной электропроводности, общей теплопроводности, холловской подвижности носителей зарядов, магнитного сопротивления соединения CuGa2InTe5. Описание механизмов рассеяния электронов и фононов в его кристаллах.
Гасанова Мехрибан Ширин кызы, кандидат физико-математических наук, доцент, докторант Азербайджанского технического университета, г.Исследованы температурные зависимости удельной электропроводности, коэффициента термо-э.д.с., общей теплопроводности, холловской подвижности носителей зарядов, коэффициента продельного эффекта Нернста-Эттингаузена, магнитного сопротивления и магнитотермо.-э.д.с. нового соединения CUGA2INTE5. При рентгенографическом анализе определено, что рентгенограмма этого соединения незначительно отличается от рентгенограммы известного по литературе [1] соединения CUGA1,8In1,2Te5, кристаллизующегося в тетрагональной структуре параметрами а=6,043 и с=12,068 . В данном сообщении приводятся результаты температурных зависимостей удельной электропроводности (s), коэффициента термо-э.д.с. Одновременно, используя данные температурной зависимости обшей теплопроводности, рассчитаны и построены температурные зависимости фононного термосопротивления и биполярной теплопроводности. 1 приведена температурная зависимость удельной электропроводности (s) и коэффициента термо.-э.д.с. Рисунок 2 отражает температурную зависимость холловской подвижности (Ux) коэффициента продельного эффекта Нернста-Эттингаузена (?у) соединения CUGA2INTE5.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
