Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
1. Преимущества технологии КНИ 2. Конструктивное исполнение структур КНИ 3. Технологии создания структур КНИ 3.1 Ионное внедрение 3.2 Сращивание пластин 3.3 Управляемый скол 3.4 Эпитаксия 4. Перспективы Список литературы Введение Структура КНИ представляет собой технологию изготовления полупроводниковых приборов, основанной на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Развитие технологий производства структур кремний на изоляторе (КНИ) в условиях чистых производственных помещений и лабораторий необходимо для: 1) создания новой элементной базы микроэлектроники (предназначенной для производства интегральных схем с наилучшими эксплуатационными параметрами и радиационно стойких ИС); 2) научных исследований (отработка новых технологических маршрутов производства структур КНИ, изучение влияния дефектов на механические, структурные и электрофизические свойства структур КНИ, изучение возможности создания макетов приборов и самих приборов на основе лабораторных структур КНИ, производство лабораторных структур КНИ для предприятий с целью их научного и практического использования в новых изделиях); 3) фундаментальных исследований процессов и явлений при имплантации, отжиге, сращивании, а также дефектообразовании в тонких слоях монокристаллического кремния и изолирующих слоях диэлектрика; 4) создания специализированного оборудования и соответствующих технологических процессов промышленного производства приборных структур КНИ. 1. Структуры КНИ обладают существенными преимуществами по сравнению с обычными пластинами кремния и необходимы для разработки: радиационно стойких ИС (и аппаратуры на их основе); термостойких ИС; низкоэнергопотребляемых ИС; высоковольтных ИС; а также для создания различных микроэлектромеханических устройств.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
