Технология и техника изготовления бескорпусной интегральной микросборки - Курсовая работа

Вследствие сложности и многостадийности технология ИМС выделилась в самостоятельную научную дисциплину. Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элементов, конструктивно-технологические требования и ограничения. Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы: выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки (коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Выбор варианта курсовой работы произвести из приведенных ниже исходных данных. 1. Схемотехнические данные и используемые материалы Микросборка (МСБ) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию и разрабатываемое для конкретной радиоаппаратуры с целью обеспечения комплексной микроминиатюризации последней. В качестве основания в МСБ применяются в основном керамические или ситалловые подложки, на которых формируется пленочная конфигурация микросборки и устанавливаются различные компоненты (диоды, транзисторы, микросхемы и т.д.). Исходными данными для разработки топологии МСБ являются: - схемотехнические данные: электрическая схема и электрические данные; - эксплуатационные данные и требования; - технологические требования и ограничения; - конструктивные данные и требования. 1.1 Схема микросборки, электрические и эксплуатационные данные Электрическая схема МСБ изображена на рис.1.1: Рис. 1.1 Исходные электрические и эксплуатационные данные и материалы приведены в табл. 1.1.1, 1.2.1…1.2.4. табл. 1.1.1 Исходные данные R1,кОм 1,85 R2,кОм 10,1 R3,кОм 13,61 Кол-во МСБ на подложке 2 С1,пФ 8814,29 С2,пФ 4667,21 С3,пФ 1848,08 Рабочее напряжение конденсатора Uр, В 3 Материал диэлектрика конденсатора БСС Мощность рассеяния резисторов Рi, мВт 7 Материал резисторов Сплав МЛТ-3М Допуски на номиналы резисторов и конденсаторов ?Ri = ?Ci = ± 10% Погрешности Погрешность воспроизведения поверхностного удельного сопротивления grs, % 2 Погрешность сопротивления контактов gRк, % 2 Погрешность воспроизведения удельной емкости gCo, % 2 Эксплуатационные данные Интервал рабочих температур DT, 0С - 30… 30 Время эксплуатации Dt, ч. 103 1.2 Материалы, используемые для разработки микросборки табл. 1.2.1 Характеристики материалов тонкопленочных резисторов Материал резистора Сплав МЛТ-3М Материал контактных площадок Медь с подслоем нихрома Удельное поверхностное сопротивление rS, Ом/? 500 Температурный коэффициент сопротивления TKR, 1/град ±2?10-4 Удельная мощность рассеяния Р0, Вт/см2 2 Коэффициент старения резистора КстR, 1/ч. Расчет тонкопленочных элементов микросборки 3.1 Расчет тонкопленочных резисторов Конструктивно пленочный резистор представляет собой резистивную пленку, нанесенную на соответствующую подложку и состыкованную с контактными площадками.