Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
При низкой оригинальности работы "Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наукЗавдання дослідження впливу опромінення електронами на параметри арсеніду індію, так само як і створення технології вирощування з хлоридної системи ниткоподібних мікрокристалів цього матеріалу раніше не вирішувалися. Для досягнення поставленої мети вирішувались такі задачі: · Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом. Предметом дослідження є процеси, що відбуваються при вирощуванні мікрокристалів з газової фази методом хімічних транспортних реакцій, а також фізичні явища, що відбуваються в напівпровідниковому матеріалі арсеніді індію під дією опромінення його високоенергетичними електронами. Автор реалізовував технологію одержання з хлоридної системи легованих оловом ниткоподібних мікрокристалів арсеніду індію, безпосередньо проводив технологічні експерименти по вирощуванню таких кристалів, визначив технологічні режими одержання ниткоподібних мікрокристалів арсеніду індію, легованих оловом в широкому діапазоні концентрацій. На основі результатів проведених розрахункових робіт по моделюванню процесів осадження з парової фази, аналізу складу газової фази та кінетики росту кристалів, була сформована технологія отримання ниткоподібних мікрокристалів арсеніду індію в хлоридній системі, а також реалізовані способи легування їх домішкою олова з метою керування властивостями.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
