Технологія мікроелектронних електрогенераційних пристроїв на основі органічних напівпровідникових бар’єрних структур - Автореферат

бесплатно 0
4.5 224
Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:


Аннотация к работе
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук Технологія мікроелектронних електрогенераційних пристроїв на основі органічних напівпровідникових барєрних структурПопередні наші дослідження показали можливість створення електрогенераційних структур з використанням технологічного потенціалу вакуумних методів осадження плівок органічних напівпровідникових матеріалів, їх модифікації, а також нових структур, чутливих до світлового випромінювання та газових чинників. Для досягнення поставленої мети вирішувались такі задачі: · розробка вакуумних методів формування тонких плівок органічних напівпровідникових матеріалів (пентацен, фталоціанін нікелю, поліаніліну та ін.) як функціональних складових барєрних електрогенераційних структур, що забезпечить їхню інтеграцію у традиційні мікроелектронні технології та дослідження їх структурних та електрофізичних властивостей; Предметом дослідження є тонкі плівки молекулярних напівпровідників (пентацен, фталоціанін нікелю, похідна перилену) та електропровідних полімерів (поліанілін, поліортометоксианілін), включаючи нанорозмірні, як функціональні складові барєрних структур, сформованих на поверхні скляних та гнучких (лавсанових) підкладок з оптично прозорими електродами (indium tin oxide (ITO)), золота та неорганічних напівпровідників, а також електрогенераційні процеси в них, викликані освітленням та взаємодією з газовим середовищем аміаку, і методи керування їхніми параметрами. Вперше експериментально та теоретично показано, що технологія вакуумного осадження тонких плівок фталоціаніну нікелю на оптично прозорих електродах забезпечує утворення моноклинної та тетрагональної поліморфної ?-форми плівок, а при легуванні киснем відбувається зростання ступеня впорядкованості (розмір кристалітів зменшується від 30 до 10 нм) та зростання на порядок фотовольтаїчної чутливості барєрних структур на їх основі. У публікаціях, які опубліковані у співавторстві, здобувачеві належать: автором науково проведено дослідження електрогенераційного ефекту в барєрних структурах ITO/NIPC/Al при взаємодії з газовим середовищем водного розчину аміаку та розроблено технологію отримання генераційних барєрних структур [1, 5, 49, 51], обґрунтовано результати спектроскопічних досліджень тонких плівок електропровідних полімерів (поліанілін, поліортометоксианілін та поліортолуїдин), досліджено їхні енергетичні та електричні характеристики та оптимізовано технологічні режими їх термовакуумного напилення [9, 10, 21, 22, 32, 33, 38, 40-44, 46, 47, 52, 56, 71], розроблено технологію формування високолегованих, оптично однорідних тонких полімерних плівок ряду поліаміноаренів (поліаніліну) методом катодного розпилення у схрещених електричному та магнітному полях в атмосфері аргону [2, 27, 28, 39, 48, 55], проведено обґрунтування практичного використання електропровідних полімерів для створення барєрних структур на основі органічних та неорганічних матеріалів [7, 9, 16-21, 34, 37, 68-70], сенсорів моніторингу довкілля [12, 14, 15, 22, 24, 25, 31, 35, 54, 57, 60-67] та оптичних елементів [26, 29, 30], запропоновано та реалізовано метод імпедансної спектроскопії для визначення обємних та барєрних властивостей розроблених структур і механізмів струмопроходження у термовакуумно напилених плівках електропровідних полімерів [4, 6, 8, 11, 36, 45], розроблена технологія термовакуумного пошарового [13] та композитного формування органічних гетероструктур [3] в одному технологічному циклі на гнучких та скляних підкладках з прозорим електропровідним шаром ITO, вивчено механізми інжекції зарядів у структурах на основі плівок цих органічних напівпровідників [6, 53, 58] та створено цілу низку фоточутливих у видимому діапазоні спектра з високими, як для даного класу низьковартістних органічних фотоперетворювачів характеристиками: ITO/пентацен/DIME-PTCDI/Al [13], ITO/NIPC/Al [4, 50] та ITO/ПАН:пентацен/Al [3], ITO/ПЕДОТ:ПСС/пентацен/Al [6, 58], ПЕДОТ:ПСС/ZNSE [7, 59].У вступі обґрунтовано актуальність теми, сформульовано мету і задачі проведених досліджень, представлені методи, обєкт і предмет досліджень, визначено наукову новизну отриманих результатів та їхнє практичне значення, наведені дані щодо апробації. Показано доцільність і перспективність оптимізації існуючих технологічних методів формування функціональних складових органічних барєрних структур та розробка нових підходів до їх створення з використанням сучасних методів діагностики електрофізичних властивостей. Показано, що одним з визначальних факторів термовакуумного напилення, поряд зі збільшенням ступеня вакууму під час термічного нанесення молекулярних напівпровідників є мінімальні швидкості сублімації для уникнення переносу в газову фазу багатомолекулярних фракцій і утворення на поверхні конденсації неоднорідних областей.

План
Основний зміст роботи

Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?