Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
При низкой оригинальности работы "Свойства полупроводников, расчет характеристик р-п – перехода", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кафедра Физики и техники оптической связи500 0,002 0,043087 1,2904E 21 48,60924193 в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах . График 1 г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg ?, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ?Е, сравнить с исходным значением ?Е. 500 0,043086876 0,425501829 109,103033 б) Построил график 2 «Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике Рассчитать температурную зависимость положения уровня Ферми Ef(T) в донорном полупроводнике а) для низкотемпературной области использовать формулу: Таблица 7. График 3 Зависимость Ef(T) для полупроводника n-типа в области низких температур. б) для низкотемпературной области найти положение максимума зависимости Ef(T), т.е. вычислить и в) для области средних температур использовать формулу: Таблица 8.В данной курсовой работе мы изучили свойства полупроводников и характеристики р-п перехода.
План
Содержание
1. Исходные данные
2. Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике
3. Расчет температурной зависимости уровня Ферми в собственном полупроводнике
4. Расчет температуры ионизации дононой примеси Ts и ионизации основного вещества Ti в полупроводнике
5. Расчет температуры ионизации Ts и Ti в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений
6. Расчет температурной зависимости положения уровня Ферми в донорном полупроводнике
