Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
При низкой оригинальности работы "СВЧ транзисторы: требования, особенности структуры, технические характеристики", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
СВЧ транзисторы: требования, особенности структуры, технические характеристики
1.Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, соответствующий электронно-дырочный переход - эмиттерным. 2) Существуют частотные ограничения, которые обусловлены скоростью изменения заряда, накопленного в транзисторе: введение носителей заряда в обедненные области p-n-переходов сопровождается накоплением заряда, и напряжение на переходах устанавливается равным входному спустя лишь некоторое время, определяемое постоянными зарядки емкостей p-n-переходов. Для обеспечения работы БТ на высоких частотах требуется уменьшить время пролета носителей заряда через базу и область объемного заряда коллектора, уменьшить барьерные емкости и объемные сопротивления базы и коллектора. Методом ступенчатой фотолитографии в изолирующей пленке окиси кремния 3 создают окна, через которые в несколько стадий вводят легирующие примеси и формируют область базы с проводимостью р-типа 4, низкоомную приконтактную область базыр -типа 5, а в дальнейшем - эмиттерную область, с проводимостью n -типа 6, Металлическая пленка 7 и 8 обеспечивает подачу управляющих напряжений соответственно к базе и эмиттеру. Можно показать, что если распределение примесей в базе имеет экспоненциальный характер, то напряженность внутреннего электрического поля оказывается постоянной вдоль всей базы (рис.1.2).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
