Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії - Автореферат

бесплатно 0
4.5 209
Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:




Аннотация к работе
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукРобота виконана в Київському університеті імені Тараса Шевченка. Науковий керівник:Третяк Олег Васильович доктор фіз.-мат. наук, професор, зав.кафедрою,Київський університет імені Тараса Шевченка. Офіційні опоненти: Комащенко Валерій Миколайович, доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник, зав. відділом, Інститут фізики напівпровідників НАН України. Крайчинський Анатолій Миколайович, доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник, т.в.о. зав. відділом,Інститут фізики НАН України. З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського університету імені Тараса Шевченка (м.Якщо порівнювати всі наявні методи контролю параметрів глибоких рівнів, то виявиться, що найбільші переваги надає релаксаційна спектроскопія глибоких рівнів, скорочено РСГР. Метод має високу роздільну здатність, дозволяє досить просто інтерпретувати дані експерименту, дає змогу визначити такі параметри: розташування глибоких рівнів в забороненій зоні в широкому діапазоні енергій, профіль концентрації глибоких рівнів, переріз захоплення для електронів та дірок. Дослідження параметрів глибоких рівнів методом РСГР базується на експоненціальній залежності ємності досліджуваної структури від часу при зміні температури під час дії збіднюючих імпульсів напруги. Мета дисертаційної роботи безпосередньо випливає з кола перелічених вище завдань і полягає у створенні експериментальних методик визначення параметрів глибоких рівнів у всіх випадках їх проявлення: моноенергетичні рівні; моноенергетичні рівні з близькими часами релаксації (випадок складного спектру); глибокі рівні з квазінеперервним розподілом за енергією. Практичне значення одержаних результатів полягає в тому, що а) розроблено автоматизований спектрометр глибоких рівнів, який дозволяє досліджувати параметри глибоких рівнів у напівпровідниках у широкому діапазоні температур та вікон емісії, б) розроблено методику обробки параметрів глибоких рівнів, що релаксують з близькими характерними часами, в) розроблено методику визначення параметрів глибоких рівнів, що характеризуються квазінеперервним спектром при використанні двохканального стробованого накопичувача.Зроблено висновок, що найкраще поєднання широких можливостей дослідження та точності визначення параметрів глибоких рівнів притаманне методу релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів (РСГР). Наведено основні теоретичні співвідношення, які дозволяють визначити параметри глибоких рівнів у кожному з цих випадків. В третьому розділі розвязано проблему виділення із еквівалентних схем найбільш поширених напівпровідникових приладів сигналів пропорційних реактивній (ємності) та активній (струму) частині комплексного сигналу, який присутній на вході вимірювального тракту релаксаційного спектрометра глибоких рівнів. В четвертому розділі описано апаратну конструкцію розробленого спектрометру глибоких рівнів. В якості базової кореляційної функції спектрометру для дослідження параметрів глибоких рівнів використовується функція: “Вікно емісії” в цьому випадку дорівнює 3.537t0.

План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

Повысить уникальность
своей работы
Letyshops [lifetime]


Викиум




Aliexpress WW

Хотите, перезвоним вам?