Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре - Статья

бесплатно 0
4.5 109
Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.


Заказать написание новой работы



Дисциплины научных работ



Хотите, перезвоним вам?