Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре - Статья

бесплатно 0
4.5 109
Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:



Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность
своей работы


Новые загруженные работы

Дисциплины научных работ





Хотите, перезвоним вам?