Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
При низкой оригинальности работы "Структурні характеристики багатошарової системи InxGa1-xAs1-yNy/GaAs за даними двокристальної Х-променевої дифрактометрії", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича. Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Фодчук Ігор Михайлович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики твердого тілаДисертація присвячена дослідженню структурної досконалості нанорозмірних систем, які містять квантові ями типу , за допомогою двокристальної Х-променевої дифрактометрії. Особливо перспективними є багатошарові нанорозмірні структури А3В5, що містять квантові ями (КЯ) типу . У межах цієї тематики автором за допомогою методів Х-променевої двокристальної дифрактометрії та чисельного моделювання процесів розсіяння Х-променів у багатошарових епітаксійних структурах досліджено вплив взаємодифузії на структурну досконалість нанорозмірних систем, що містять квантові ями типу . Мета дисертаційної роботи полягає у встановленні особливостей розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями типу , визначенні концентрації азоту у квантових ямах і буферних шарах та параметрів невідповідності ґраток і їх впливу на фізичні характеристики за допомогою високороздільної Х-променевої двокристальної дифрактометрії. Наукова новизна одержаних результатів: За допомогою методів Х-променевої дифрактометрії та чисельного моделювання процесів розсіяння Х-променів проведені комплексні дослідження механізмів взаємодифузії та динаміки структурних змін у нанорозмірних багатошарових системах, що містять одну або дві квантові ями типу .Особливу увагу в даному розділі звернено на можливі процеси міжшарової взаємодифузії та на механізми релаксації напруг, які можна досить ефективно і надійно діагностувати за особливостями розподілу інтенсивності Х-променів на кривих гойдання від багатошарових структур. У другому розділі описані методики, які використовувались у роботі: двокристальна Х-променева дифрактометрія, алгоритми чисельного розвязку рівнянь, які описують процеси розсіяння Х-променів багатошаровими структурами. Тому, для визначення градієнтів деформацій, зміни хімічного складу та параметрів атомної шорсткості поверхні на границях розділу проведено комплексні компютерні моделювання процесів розсіяння Х-променів з врахуванням прямих і обернених розвязків поставлених задач. Для розвязку оберненої задачі - визначення профілю деформації на границях розділу структури за відомою кривою гойдання - використано метод мінімізації невідємної невязки між експериментальною і теоретичною КГ. Зміна х на 0,01 в межах від 0,35 до 0,38 приводить до збільшення кутової неузгодженості на кривих гойдання між КЯ і підкладкою GAAS приблизно на 200 кут.с. і зменшенню на 40 кут.с. відстані між максимумами інтенсивності від підкладки та від буферного шару.
План
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
