Элементарная теория вольт–фарадных характеристик МДП-структур. Область пространственного заряда полупроводника. Вольт-фарадные характеристики идеальной и реальной МДП-структуры. Эффект памяти в металл-сегнетоэлектрик-полупроводниковых структурах.
Базовым элементом современных устройств интегральной микроэлектроники является структура металл-диэлектрик - полупроводник (МДП-структура) на основе монокристаллов кремния и диэлектрических пленок SiО2, Si3N4. Экспериментально эффект поля может быть исследован либо посредством измерения вольт - фарадных характеристик (ВФХ) МДП- конденсаторов (зависимость малосигнальной емкости структуры C от управляющего напряжения V), либо посредствам измерения передаточных характеристик МДП- транзисторов ( зависимость стокового тока Jsd от напряжения на затворе V). На рис. 2.1 приведена зонная диаграмма области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника n-типа.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
