Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
Полученные результаты - из различной учебной и научной литературы мною были рассмотрены дрейфовые транзисторы.Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить одновременно малые высокочастотные сопротивления базы, малые емкости коллекторного перехода и высокие пробивные напряжения коллектора.В зависимости от распределения примесей в базе может существовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то транзистор называют дрейфовым, если же поле в базе отсутствует - бездрейфовым. В дрейфовом транзисторе скорость носителей в базе увеличивается вследствие действия дрейфового поля, что приводит к различиям в численных значениях параметров двух типов транзисторов. Вследствие неравномерного распределения примесей в базе (рис.2,г) существуют встречные диффузионные потоки электронов и дырок, которые приводят к образованию электрического поля в базе. Теперь учтем неравномерное распределение примесей в базе на примере р-п-р транзистора (рис.4, где LД - длина диффузии доноров) и покажем те следствия, к которым приводит такая неравномерность.В результате падение коэффициента переноса ? до уровня 0,707 должно произойти на частоте, существенно превышающей частоту юр бездрейфового транзистора с той же толщиной базы. Для того чтобы оценить роль эффективности эмиттера, рассмотрим конкретный пример транзистора типа р-п-р с концентрацией у эмиттера, равной NЭ= 1017см-3, диаметром эмиттера DЭ = 0,3 мм (SЭ = 0,07 мм2), толщиной базы W = 10 мкм и концентрацией у коллектора NK = 1014 см-3. Другими словами, малая предельная частота коэффициента инжекции имеет более существенное значение для транзисторов с большими предельными частотами коэффициента переноса и мало влияет на частотные свойства транзистора с малыми предельными частотами коэффициента переноса. дрейфовый транзистор электрический заряд Таким образом, коэффициент передачи тока ?(?) дрейфового транзистора будет определяться произведением эффективности эмиттера ?(?), коэффициента переноса в базе ?(?) и коэффициента переноса в коллекторном переходе ?*(?). В силу того, что в области базы концентрация у эмиттерного перехода высокая, а у коллекторного перехода низкая, то сопротивление базы дрейфового транзистора будет больше, чем сопротивление базы бездрейфового транзистора, концентрация примесей у которого по всей толщине базы будет высокой (равной NЭ).Расчеты показывают, что с ростом перепада концентраций сопротивление базы дрейфового транзистора возрастает почти по тому же самому закону, что и ??.В ходе данной курсовой работы: были рассмотрены свойства, а также типы и устройства дрейфовых транзисторов; рассмотрены структура и особенности дрейфового транзистора; определено влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
План
Содержание
Введение
1. Определение, структура и особенности дрейфового транзистора
2. Физические процессы в базе дрейфового транзистора
3. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора
Заключение
Список использованных источников литературы
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
