Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
В транзисторах в качестве одной из независимых переменных обычно выбирают ток эмиттера, легче поддающийся регулированию, чем напряжение.Обратный ток эмиттера при короткозамкнутом коллекторе, обозначаемый ІЭБК, отличается оттока экстракции I11 наличием еще двух составляющих: термотока ІЭТ и тока поверхностной проводимости ІЭУ: ІЭБК = I11 ІЭТ ІЭУ Они смещены от нуля в сторону прямых напряжений; как и у кремниевого диода, смещение равно 0,6-0,7 В. 2.Схема с общим эмиттером Выходным напряжением в схеме с общим эмиттером является напряжение коллектора Uкэ, измеряемое относительно эмиттерного электрода. Введя обозначение для коэффициента передачи тока базы ? в выражение (3.61), получим основное уравнение, определяющее связь между токами коллектора и базы в схеме с общим эмиттером: Зависимость тока коллектора от напряжений базы и коллектора можно найти из выражения (3.48), заменив в нем UЭБ на - UБЭ и UКБ на UКЭ - UБЭ: Уравнения (3.64) и (3.65), а также (3.50) и (3.57) являются основными для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
