Стабільність контактно–металізаційних систем у приладах з бар’єром Шотткі - Автореферат

ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наукРобота виконана в Національному науковому центрі «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України. Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Довбня Анатолій Миколайович, Національний науковий центр «Харківський фізико - технічний інститут» НАН України, директор НДК «Прискорювач». Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Маслюк Володимир Трохимович, начальник відділу Інституту електронної фізики НАН України, м. кандидат фізико-математичних наук Маслов Микола Іванович, начальник відділу Інституту фізики високих енергій і ядерної фізики, ННЦ ХФТІ НАН України, м. Захист відбудеться 19 лютого 2010 р. о 15год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К.64.052.04 при Харківському національному університеті радіоелектроніки за адресою: 61166, м.Уточнення механізмів процесів деградації контактно-металізаційної системи (КМС) на самих ранніх стадіях формування барєрів Шоттки й омічних контактів дозволить співставити ефективність відомих методів стабілізації електронних параметрів потенційного барєра для даної границі розділу й розглянути оригінальні варіанти антидифузійних барєрів у складі КМС як стабілізуючого фактора. Мета роботи - розвиток і погоджене застосування методів дослідження процесів деградації в специфічних багатокомпонентних системах - контактах метал-напівпровідник , включаючи ядерно-фізичні методи елементного аналізу (спектроскопію резерфордівського зворотного розсіювання, РЗР), електронну мікроскопію й фазовий аналіз. Результати, які склали основу дисертації, здобуті при виконанні наступних тем, які виконувалися на замовлення організацій та підприємств СРСР та України в період з 1984 по 1992 роки, та НДР що виконувались в ННЦ ХФТІ з 1998 р: - робота за темою «Вивчення контактних структур на арсеніді галію», - робота за темою «Дослідження можливості і пошук технічних рішень для опанування технології створення контактних структур на GAAS», - робота за темою «Дослідження контактів метал - арсенід галію», - робота за темою «Розробка технології та дослідження барєрних контактів на арсеніді галію» (Замовник - НВО «Сатурн» м. Отримані дані показали, що застосування ітербію в якості «прямого» контакту до арсеніду галію вимагає створення складної схеми контакту, до якої входитимуть додаткові шари тупу дифузійних барєрів. Матеріали дисертації докладалися на всесоюзній конференції «Діагностика поверхні», Каунас, 1986, на всесоюзній конференції «Структура й електронні властивості границь у металах і напівпровідниках», Воронеж, 1987р., всесоюзній конференції «Фізика й застосування контакту метал-напівпровідник», Київ, 1987, опубліковані в Працях 8-ї Міжгалузевої Наради з фізики радіаційних ушкоджень, Харків, 1988., у Працях 9 Республіканського семінару з фізики й технології тонких плівок, Івано-Франківськ, 1988 р.При поєднанні ядерно-фізичних методів елементного аналізу (спектроскопія резерфордівського зворотного розсіювання, РЗР), електронної мікроскопії й фазового аналізу розроблено підхід до вивчення фізичних явищ у багатошарових структурах, зокрема процесів термічної деградації властивостей специфічних багатокомпонентних систем - контактів типу метал-напівпровідник. Показано, що утворення інтерметалічних сполук впливає на підвищення проникності полікристалічних шарів контактно-металізаційної структури. Розроблено методику одержання спектрів РЗР в умовах контролю профілів концентрації елементів, що складають КМС. Підтверджено високу проникність полікристалічних шарів КМС, які застосовуються на практиці, для золота й елементів підкладки (Ga і As) з утворенням інтерметалідних сполук. У результаті порівняння даних спектроскопії РЗР і електронної мікроскопії, показано, що при відносній стабілізації властивостей контактів, вони мають досить вузьке коло застосувань.