Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
При низкой оригинальности работы "Спектроскопія кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор, Горбань Олександр Миколайович, Запорізький інститут державного і муніципального управління, м. Запоріжжя, перший проректор доктор фізико-математичних наук, професор Кудзін Аркадій Юрійович, Дніпропетровський національний університет, м. Дніпропетровськ, професор кафедри електрофізики доктор фізико-математичних наук, професор Гаврилюк Володимир Ілліч, Дніпропетровський державний технічний університет залізничного транспорту, м. Захист відбудеться “16 ”березня 2001 р. о 1330 годині на засіданні спеціалізоваої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050, м.Актуальність теми полягає у наступному: - розробка технології та одержання якісних монокристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку (самоактивованих, та з різноманітними домішками) з наперед заданими параметрами є дуже важливими, як на початку роботи над дисертацією, так і зараз, бо саме на якісних кристалах можна встановити необхідні закономірності у властивостях, що необхідно для їх подальшого використання; створення установок ЕПР, фото-ЕПР, ОДМР, автоматизованої установки для дослідження спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) і електролюмінесценції (ЕЛ) з первинною компютерною обробкою, що дозволяє вивчати рекомбінаційні процеси, з?ясовувати природу локальних центрів та їх ролі в процесах переносу заряду при зовнішніх впливах (одноосьовий тиск, змінні і постійні електричні поля, пластична деформація, ультрафіолетове (УФ) та інфрачервоне (ІЧ) підсвічування) в широкому інтервалі температур. Оскільки перелічені вище питання технології отримання кристалів твердих розчинів, розробки комплексу методик для цих досліджень та систематичного дослідження сукупності вказаних властивостей таких важливих для науки і практики сполук, як тверді розчини AIIBVI - A1IIB1VI, не були достатньою мірою вирішені, тематика та коло питань, поставлених та вирішених у дисертації є актуальними. Дисертаційна робота виконувалася в рамках планів науково-дослідницьких робіт Дніпропетровського національного університету у відповідності з програмами до завдань: Координаційного плану АН УРСР на 1976 - 1980 р., тема роботи № 176 - 76 "Вивчення енергетичного спектра носіїв заряду в широкозонних напівпровідниках та розробка нових твердотільних систем обробки та відображення інформації", звіт з НДР держ. реєстр. Комплекс дослідницьких робіт базувався на вирішенні ряду задач, основними з яких були: розробка технології отримання якісних монокристалів твердих сполук, яка дозволяла б у широких межах плавно і спрямовано змінювати фізичні властивості напівпровідникових матеріалів, з метою реалізації можливостей їх практичного використання; удосконалення стандартної апаратури, що дозволяє проводити комплексні дослідження ЕПР, фото-ЕПР, ОДМР, ФЛ, ЕЛ та ФП при різних температурах і ІЧ-збудженнях; обгрунтування і апробація оригінальних експериментальних методик для проведення комплексних досліджень оптичного перезарядження домішкових центрів (хром, залізо, А-центри, мілкі донори та акцептори) і люмінесценції в монокристалах твердих сполук Zn1-XCDXS і ZNS1-YSEY.Вирощені “чисті” монокристали (домішка в шихту не вводилася) Zn1-XCDXS і ZNS1-YSEY, де 0 <x, y< 1 з інтервалом Dx, Dy рівним 0.1 і кристали, леговані Mn c концентрацією марганцю (10-4, 10-3, 10-2 та 5?10-2 ) ваг. Використовуючи комплексний метод дослідження люмінесцентних характеристик і зміни зарядових станів іонів хрома, заліза і А-центра при спільній дії на кристали ZNS змінного електричного поля і УФ світла, вивчені умови виникнення додаткового світіння ФЕЛ або її гасіння. Вплив квантів ІЧ світла на кристал, що випромінює світло, призводить до стимуляції або гасіння сигналів ЕПР, яскравості ФЛ і величини ФП, що свідчить про перерозподіл зарядів на локальних центрах, а також про зміну концентрації вільних носіїв. При впливі на кристал ZNS:Al,Ag квантів ІЧ світла з енергією меншою ніж оптична глибина залягання іонів Cr (Ед< Еіч <), відбувається спустошення цілого ряду донорних (Ед ~ 0.6 ЕВ) і акцепторних (Еа ~ 0.3 ЕВ) рівнів. Отримані дані дозволяють вважати, що рівні Cr є центрами безвипромінювальної рекомбінації, захоплення дірок на рівні Fe2 призводить до червоної (l = 640 нм) ФЛ, а захоплення електронів на рівні А-центрів обумовлює блакитну (l = 460 нм) ФЛ, інтенсивність якої істотно перевищує інтенсивність “самоактивованої” ФЛ кристалів ZNS.
План
Основний зміст дисертації
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы