Синтез, структура та властивості нових сполук галію з р-елементами IV групи та рідкісноземельними металами церієвої підгрупи - Автореферат

Львівський національний університет імені Івана ФранкаРобота виконана на кафедрі неорганічної хімії Львівського національного університету імені Івана Франка Міністерства освіти і науки України. Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор Бодак Оксана Іванівна, Львівський національний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри неорганічної хімії Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, доцент Чихрій Степан Іванович, Львівський національний університет імені Івана Франка, завідувач кафедри аналітичної хімії кандидат хімічних наук, старший науковий співробітник Василечко Леонід Орестович, національний університет “Львівська політехніка”, провідний науковий співробітник кафедри напівпровідникової електроніки Захист відбудеться “9 “березня 2005 р. о 1600 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.35.051.10 з хімічних наук у Львівському національному університеті імені Івана Франка Міністерства освіти і науки України за адресою: м.Дослідження фазових рівноваг і кристалічних структур сполук в потрійних системах РЗМ-Ga-{Si, Ge, Sn} дасть можливість зясувати особливості хімічної взаємодії компонентів у системах такого типу, умови утворення та існування фаз, що буде цінною інформацією для прогнозу взаємодії в інших системах такого типу та пошуку нових перспективних матеріалів. Експериментальні дані про фазові рівноваги у досліджених потрійних системах та кристалічні структури сполук, що в них утворюються, розширюють уявлення про взаємодію компонентів у системах за участю рідкісноземельних металів та р-елементів III та IV груп, можуть бути основою для розробки нових матеріалів і тому є важливими як для неорганічної хімії, так і для матеріалознавства. Одержані результати дають можливість прогнозувати взаємодію компонентів в інших системах за участю РЗМ, Ґалію та р-елементів IV групи. У третьому розділі наведено результати дослідження фазових рівноваг у потрійних системах {La, Ce, Pr, Nd, Sm}-Ga-Si та Sm-Ga-{Ge, Sn} при 870 K, кристалічних структур знайдених тернарних ґалідів та температурних залежностей термо-е.р.с. і питомої магнітної сприйнятливості сполук. Склад та кристалографічні характеристики тернарних сполук, що утворюються в системі La-Ga-Si та решті досліджених в повному концентраційному інтервалі системах, представлені в табл.Методами рентгенофазового та рентгеноструктурного аналізів 650 сплавів вперше досліджено взаємодію компонентів у потрійних системах {La, Ce, Pr, Nd, Sm}-Ga-Si і Sm-Ga-{Ge, Sn} та побудовано ізотермічні перерізи їхніх діаграм стану при 870 K у повному концентраційному інтервалі. Структура Sm4Ga5.24-2.25Ge5.76-8.75 (власний структурний тип, просторова група Cmmm, символ Пірсона OS52-22) розшифрована методом порошку з використанням алгоритму глобальної оптимізації параметрів у прямому просторі і належить до серії лінійних неоднорідних структур, побудованих з фрагментів структурних типів BAAL4, ALB2 та APO. На основі аналізу ізотермічних перерізів діаграм стану потрійних систем {La, Ce, Pr, Nd, Sm}-Ga-Si при 870 K обговорено вплив атомів РЗМ на характер взаємодії компонентів: зростання порядкового номера РЗМ приводить до ускладнення характеру взаємодії компонентів та збільшення кількості тернарних сполук. Вплив атомів р-елементів IV групи при заміні Si на Ge (на прикладі систем Sm-Ga-{Si, Ge}) проявляється у зменшенні розчинності третього компонента в бінарних фазах та збільшенні кількості тернарних сполук як постійного, так і змінного складів. За характером взаємодії досліджені системи подібні до систем з Al і суттєво відрізняються від систем з In.