Дослідження впливу низки чинників на швидкість програмування енергонезалежної пам’яті в ситуації ввімкнення пристрою (кристалізація, низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника.