Общие сведения о сегнетоэлектриках. Диэлектрические свойства сегнетоэлектриков. Зависимость между полем и поляризацией. Электропроводность сегнетоэлектриков. Применение в вычислительной технике. Барьеры в сегнетоэлектриках. Принцип матричной селекции.
Министерство просвещения и образования РФ Нижегородский государственный технический университет Курсовой на тему: «Сегнетоэлектрики - структура свойства и применение» Группа: 09-МТЭ Студент: Барковский А.В. Преподаватель: Водзинский В.Ю. Нижний Новгород 2011 Содержание 1. Диэлектрические свойства сегнетоэлектриков 4. Общие сведения о сегнетоэлектриках Сегнетоэлектрики - диэлектрики, обладающие в определенном интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризованностью, т. е. поляризованностью в отсутствие внешнего электрического поля. Свое название сегнетоэлектрики получили от названия минерала - сегнетовой соли (NaKC4H4O64H2O), для которой указанные свойства были обнаружены впервые. Рисунок 1 - Кристалл сегнетовой соли. Наиболее распространенным сегнетоэлектриком является метатитанат бария ВаТiO3. Впервые обнаружены и исследованы сегнетоэлектрические свойства метатитаната бария в 1944 г. академиком Б. М. Вулом. Часто ВаТiOз называют сокращенно титанатом бария. При возникновении спонтанной поляризации на внешней поверхности кристалла появляются поверхностные заряды, которые в свою очередь, должны создать внешнее деполяризующее поле. Температура , при которой сегнетоэлектрик переходит из полярной фазы в неполярную (или обратно), называется диэлектрической точкой Кюри. Как правило, сегнетоэлектрик имеет только одну, точку Кюри, ниже которой он находится в полярной, а выше - в неполярной фазе. В неполярной фазе, выше точки Кюри (120°С) имеет кубическую структуру, между 120°С и 5°С - тетрагональную симметрию (рис.4 а, б). Получается новая сегнетоэлектрическая фаза, устойчивая между 5°С и -90°С и обладающая орторомбической симметрией (рис.4, в). Такого рода упорядочение происходит, по-видимому, в большинстве сегнетоэлектрических кристаллов, не относящихся к кислородно-октаэдрическому типу. Общий характер частотной зависимости диэлектрической проницаемости и потерь в слабых полях в поликристаллическом титаните бария показан на рисунке 13, где согласно исследованиям М. М. Некрасова и Ю. М. Поплавко приведены диэлектрическая проницаемость и tg d при поле смещения Есм = О (кривые 1 и 3) и Есм = 10 кВ/см (кривые 2 и 4).
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
