Розробка конструкції інтегральної мікросхеми і технологічного напрямку її виробництва згідно із заданою принциповою електричною схемою. Вибір матеріалів і компонентів. Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів та розмірів плати.
В якості навісних компонентів в ГІС використовуються мініатюрні дискретні конденсатори, резистори, котушки індуктивності, дроселі, трансформатори. В даній курсовій роботі обєктом проектування є диференційний підсилювач К118УД1, який містить в собі шість резисторів і чотири транзистора. Метод подвійної фотолітографії рекомендується при виробництві плівкових мікросхем, які містять у собі провідники та резистори з двох різних (високоомного та низькоомного) резистивних матеріалів. Досягнена точність виготовлення резисторів цим методом сягає 1%. Так як проектована мікросхема містить у собі низькоомні та високоомні резистори, то для її реалізації поділимо резистори на дві групи так, щоб IMG_800332ba-8e88-4e7c-9369-84714f3232f9 першої групи було меншеПри виконанні курсової роботи було отримано навички по розрахунку і розробці топології і конструкцій функціональних вузлів радіоелектронної апаратури у вигляді гібридної інтегральної схеми.
План
Зміст
Вступ
Аналіз завдання
Вибір і техніко-економічне обґрунтування збільшеного технологічного процесу
Вибір матеріалів і компонентів
Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів
Розрахунок і обґрунтування розмірів плати
Розробка топології
Вибір корпусу
Висновок
Список використаної літератури
Вывод
При виконанні курсової роботи було отримано навички по розрахунку і розробці топології і конструкцій функціональних вузлів радіоелектронної апаратури у вигляді гібридної інтегральної схеми.
Були закріплені теоретичні знання та отримані практичні навички рішення інженерних задач по проектуванню мікроелектронних засобів.
