Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.
Шляхом прямого (емпіричного) аналізу і синтезу виявити особливості методів скрайбування алмазним різцем, скрайбування лазерним променем та різка алмазними дисками, а також методів розламування пластин на кристали. У першому розділі «Методи скрайбування та різка алмазними дисками» розкрито технологічні операції при скрайбуванні алмазним різцем та загальні відомості про нього, переваги методів скрайбування лазерним променем та різки алмазними дисками, відображені можливі похибки при методах скрайбування та різання. Лазерне скрайбування Скрайбування пластин кремнію діаметром до 76 мм у багатосерійному ВИРОБНИЦТВІВІДСУТНІСТЬ сколів від скрайбування, висока продуктивність, необхідність захисту пластин 1.1) столик 1 з пластиною 2 здійснює зворотно-поступальні рухи відносно різця 4. При зворотному ході різець припіднімається, пропускаючи столик з пластиною, а стіл 3 здійснює поперечну подачу на крок.У результаті проведеного дослідження методів розділення пластин та підкладок зясовано, що процес розділення включає в себе методи скрайбування і розламування або методи різання пластин та підкладок. Алмазне скрайбування є найпершим методом розділення пластин та підкладок і має істотно великі недоліки. Лазерне скрайбування забезпечує якісне розламування пластин кремнію, при його застосуванні відсутні сколи від скрайбування, має високу продуктивність, проте потребує захисту пластин (підкладок) від випарування матеріалу. Метод різання алмазними дисками (дискове різання) дозволяє розділяти пластини великого діаметру і великої товщини, а також підкладки підвищеної твердості.Порівняння методів скрайбування й різання пластин і підкладок Скрайбування алмазним різцем Різання Скрайб. Лаз. променем Тип інструмента Алмазний різець Алмазний диск Лазер АІГ Оброблюваний матеріал Кремній, ситал Будь-що Будь-що Додаткова обробка Травлення пластини Нанесення і видалення воску -Параметри установок для лазерного скрайбування Максимальний діаметр оброблюваних пластин, мм 76(100)* 150 Діапазон зміни кроку при дискретності 0,01 мм, мм 0,10...9,99 0.01...99.99 Діапазон зміни підйому при повторних різи і дискретності 0.0025 мм, мм - 0...
Вывод
У результаті проведеного дослідження методів розділення пластин та підкладок зясовано, що процес розділення включає в себе методи скрайбування і розламування або методи різання пластин та підкладок.
Алмазне скрайбування є найпершим методом розділення пластин та підкладок і має істотно великі недоліки. Використовується при розділенні пластин та підкладок в лабораторних умовах.
Лазерне скрайбування забезпечує якісне розламування пластин кремнію, при його застосуванні відсутні сколи від скрайбування, має високу продуктивність, проте потребує захисту пластин (підкладок) від випарування матеріалу. Використовується у багатосерійному виробництві.
Метод різання алмазними дисками (дискове різання) дозволяє розділяти пластини великого діаметру і великої товщини, а також підкладки підвищеної твердості.
Отримав широке застосування, як і лазерне скрайбування, у багатосерійному виробництві. Перевагою методу дискового різання над лазерним скрайбуванням є більша глибиною різу, а недолікам - більша ширина різу та менша швидкість обробки.
Максимальний вихід придатних кристалів при використанні методів алмазного, лазерного скрайбування та дискове різання складає 98%, 99,5%, 99,5% відповідно. Це пояснюється високими, середніми та будь-якими вимогами до навиків персоналу при використанні даних методів.
Перевагою методу різання дротом та набором стальних є висока якість і групова обробка а недоліком - нерівномірне зношення інструмента, можливість обриву дроту. Перевагою ультразвукового різання є отримання кристалів будь-якої форми, а недоліками - низька продуктивність і точність обробки.
Існує два методи розламування пластин та підкладок: вручну за допомогою валика (удосконаленням є прокатуванням між двома валиками) та машинним способом за допомогою півсфери. Методи півсфери (найкращий за всіма параметрами) та прокатуванням між двома валиками використовуються у багатосерійному виробництві.
Список литературы
1.Парфенов О. Д. Технология мікросхем / О. Д. Парфенов. - М. : Высшая школа, 2006. - 464 с.
2.Бер А. Ю. Сборка полупроводниковых и интегральных микросхем / А. Ю. Бер, Ф. Е. Миксклер. - М. : Высшая школа, 2006. - 279 с.
3.Курносов А. И. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники : в 10 к. / А. И. Курносов. - М. : Высшая школа, 1986. - К. 4 : Материалы. - 327 с.
4.Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В. Н. Черняев. - М. : Радио и связь, 2007 - 464 с.
5.Никифорова-Денисова С. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлекторники : в 10 к. / С. Н. Никифорова-Денисова. - М. : Высшая школа, 1989. - К. 4 : Механическая и химическая обработка. - 95 с.
6.Ефимов И. Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. - М. : Высшая школа, 1986. - 464 с.
7.Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник / 3. Ю. Готра - М. : Радио и связь, 2009. - 528 с.
8.Броудай И. Физические основы микротехнологии : пер. с англ. / Броудай И., Дж. Мерей. - М. : Мир, 1985. - 496 с.
9.Крапихин В. В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов / В. В. Крапихин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. - М. : Металлургия, 2010. - 352 с.
10.Чистяков Ю. Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райков. - М. : Металлургия, 1979. - 408 с.
11.Брюэра Дж. Р. Электроннолучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов : пер. с англ. / Дж. Р. Брюэра. - М. : Радио и связь, 1984. - 336 с.
12.Ермолаев Ю. П. Конструкция и технология микросхем / Ю. П. Ермолаев, М. Ф. Пономарев, Ю. Г. Крюков. - М. : Высшая школа, 1977. - 416 с.
13.Степаненко И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко. - М. : Советское радио, 1980. - 488 с.
14. 288 с.
15.Глудкин О. П. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем / О. П Глудкин, В. Н. Черняев. - М. : Энергия, 1980. - 360 с.
16.Малышева И. А. Технология производства микроэлектронных устройств / И. А. Малышева. - М. : Энергия, 2009. - 448 с.
17.Курносов А. И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин. - М. : Высшая школа, 1979. - 368 с.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
