Разработка топологии и технологии изготовления бескорпусной тонкопленочной микросборки - Курсовая работа

бесплатно 0
4.5 165
Материалы, используемые для разработки микросборки. Технологические требования и ограничения. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки. Разработка топологии ИМС и технологии изготовления микросборки.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:




Аннотация к работе
Федеральное агентство Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Выполнил: студент Красовский Д.О. курс третий факультет радиоэлектроникиРазработать на основе тонкопленочной технологии топологию и технологию изготовления бескорпусной интегральной микросборки, представляющей собой два параллельно включенных Т-образных четырехполюсника.Микросборка (МСБ) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию и разрабатываемое для конкретной радиоаппаратуры с целью обеспечения комплексной микроминиатюризации последней. В качестве основания в МСБ применяются в основном керамические или ситалловые подложки, на которых формируется пленочная конфигурация микросборки и устанавливаются различные компоненты (диоды, транзисторы, микросхемы и т.д.).Электрическая схема МСБ изображена на рис. 1 и представляет собой два параллельно включенных Т-образных четырехполюсника. Первый состоит из двух резисторов R1 и конденсатора C2, а второй - из двух конденсаторов C1, представляющих собой плечи четырехполюсника, и резистора R2. рис. Исходные электрические и эксплуатационные данные и материалы приведены в табл. Материал диэлектрика конденсатора Al2O3табл. 1.2Тангенс угла диэлектрических потерь tgd на частоте 1КГЦ 0,3…1 Материал для контактных площадок и проводников необходимо выбрать такой, чтобы: 1. Всеми перечисленными выше свойствами обладает алюминий с подслоем нихрома. Подслой нихрома обеспечивает особо прочное соединение с подложкой и последующими слоями, слой алюминия обеспечивает высокую проводимость, химическую инертность и стабильность. табл. Материал для защиты элементов выбирается по электрической прочности.Платы с типоразмерами № 3…10 используются в стандартных корпусах, остальные - в бескорпусных ИМС и микросборках. Шаг расположения контактных площадок соответствует ряду 0,625; 1,250 и 2,500 мм (для бескорпусной защиты) или расположению выводов корпуса (для корпусной защиты). Пленочная и гибридная ИМС должны иметь ключ - увеличенную контактную площадку или специальный знак, который должен располагаться в левом нижнем углу на большей стороне платы, ключ вычерчивается в процессе проектирования топологии ИМС. Пассивные элементы, к точности которых предъявляются жесткие требования, располагаются на расстоянии 500 мкм при масочном методе и 200 мкм при фотолитографии от краев и осевых линий прижимных перегородок. Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (в том числе, и контактными площадками) составляет 300 мкм при масочном методе и 100 мкм при фотолитографии.Нижеприведенные преобразования исходной электрической схемы ИМС и схематический план размещения элементов и соединений между ними на подложке ИМС на рис. 2 позволяют: - упростить конфигурацию электрической схемы для уменьшения числа пересечений изгибов, получения прямых линий;Конструктивно пленочный резистор представляет собой резистивную пленку, нанесенную на соответствующую подложку и состыкованную с контактными площадками. Так как у обоих резисторов Кф>10, осуществляется расчет резисторов сложной геометрической формы типа «меандр». 4.1 изображен "меандр", состоящий из пяти Г-образных звеньев, и введены следующие обозначения: t = b а - период (шаг) звеньев; b - ширина резистивной пленки; а - расстояние между резистивными полосками; А и В - габаритные размеры "меандра" вдоль осей X и ? соответственно. Расчет осуществляется по формуле: bp = где: Pi - мощность рассеяния резистора; Определяем расчетную ширину bрасч резистора по формуле: где: bтехн-величина, обусловленная технологическими ограничениями, bтехн - 100 мкм где: - погрешности, вызванные точностью изготовления геометрических контуров пленки, которые при масочном методе изготовления составляют ±10 мкм. ??ф доп - допустимая погрешность коэффициента формы резистора, которая определяется из выражения (4.5): ??ф доп =?RI - ?ps - ?CTR - ?RT - ?RK , где: ?RI = ?|Ri| = 0,1 (10%) погрешность номинала Ri.Первый слой - проводящий слой, являющийся нижней обкладкой конденсатора, второй слой представляет собой однослойный или многослойный диэлектрик, и третий слой - проводящий слой верхней обкладки конденсатора. Определяем удельную емкость C0d конденсатора, соответствующую требуемой электрической прочности, осуществляется по формуле: C0d= 0,0885?/d, [ПФ/см2], где d - толщина, см, ? - диэлектрическая проницаемость на частоте 1КГЦ (см. табл.1.3). GCTC - погрешность обусловленная старением материалов, рассчитывается по формуле: УСТС = КСТС·?t. где: КСТС - коэффициент старения емкости, характеризует изменение ?CI (t) емкости Ci в зависимости от времени t, Кстс =10-5 1/час, ?t - время эксплуатации конденсатора. Рассчитаем удельную емкость C0S конденсатора, соответствующую допустимой погрешности площади GSДОП конденсатора.

План
Содержание

1. Задание на курсовую работу

2. Схемотехнические данные и используемые материалы

2.1 Схема микросборки, электрические и эксплуатационные данные

2.2 Материалы, используемые для разработки микросборки

2.3 Технологические требования и ограничения

3. Разработка коммутационной схемы соединений

4. Расчет тонкопленочных элементов микросборки

4.1 Расчет тонкопленочных резисторов

4.2 Расчет пленочных конденсаторов

4.3 Расчет пленочных проводников и контактных площадок ИМС

5. Разработка топологии ИМС

6. Разработка технологии изготовления микросборки

Заключение

Список литературы

1. Задание на курсовую работу

Повысить уникальность
своей работы
Викиум


EnglishDom


Aliexpress WW


Напишем

Хотите, перезвоним вам?