Разработка топологического чертежа интегральной микросхемы - Курсовая работа

бесплатно 0
4.5 112
Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.

Скачать работу Скачать уникальную работу

Чтобы скачать работу, Вы должны пройти проверку:




Аннотация к работе
Любые элементы полупроводниковых ИМС можно создать на основе максимум трех p-n-переходов и четырех слоев двух типов электропроводности (электронной и дырочной). Операция изоляции элементов осуществляется групповым методом, сочетается с технологией изготовления ИМС в целом и реализуется методом разделительной (изолирующей) диффузии на всю глубину эпитаксиального слоя. Снижение сопротивления коллектора достигается созданием высоколегированного скрытого n -слоя путем диффузии в р-подложку примеси n-типа перед наращиванием эпитаксиального слоя. Этот слой обеспечивает низкоомный путь току от активной коллекторной зоны к коллекторному контакту без снижения пробивного напряжения перехода коллектор-база. На поверхности кремния выращивается плотная пленка двуокиси кремния (SIO2), которая имеет близкие к кремнию коэффициент теплового расширения, что позволяет использовать ее как маску при диффузии.Размеры диффузионных резисторов, используемых в схеме, были рассчитаны исходя из заданных: номинала резистора, поверхностного сопротивления и мощности.

План
Содержание

Введение

Описание схемы

Технология изготовления ИМС

Расчет интегральных компонентов

Соединения и контактные площадки

Построение топологического чертежа

Выводы

Список использованной литературы

Повысить уникальность
своей работы







Хотите, перезвоним вам?