Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
Любые элементы полупроводниковых ИМС можно создать на основе максимум трех p-n-переходов и четырех слоев двух типов электропроводности (электронной и дырочной). Операция изоляции элементов осуществляется групповым методом, сочетается с технологией изготовления ИМС в целом и реализуется методом разделительной (изолирующей) диффузии на всю глубину эпитаксиального слоя. Снижение сопротивления коллектора достигается созданием высоколегированного скрытого n -слоя путем диффузии в р-подложку примеси n-типа перед наращиванием эпитаксиального слоя. Этот слой обеспечивает низкоомный путь току от активной коллекторной зоны к коллекторному контакту без снижения пробивного напряжения перехода коллектор-база. На поверхности кремния выращивается плотная пленка двуокиси кремния (SIO2), которая имеет близкие к кремнию коэффициент теплового расширения, что позволяет использовать ее как маску при диффузии.Размеры диффузионных резисторов, используемых в схеме, были рассчитаны исходя из заданных: номинала резистора, поверхностного сопротивления и мощности.
План
Содержание
Введение
Описание схемы
Технология изготовления ИМС
Расчет интегральных компонентов
Соединения и контактные площадки
Построение топологического чертежа
Выводы
Список использованной литературы
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
