Методы получения полупроводниковых соединений. Создание монокристаллов из растворов, паровой фазы. Повышение концентрации летучего компонента в растворе. Испарение летучего растворителя. Получение полупроводниковых монокристаллов соединений типа АIIBVI.
При разработке технологии выращивания монокристаллов любого полупроводникового материала определяют: 1) условия, благодаря которым осуществляется надежное получение монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией, а также со стехеометрической формой и оптимальными размерами; В перечисленных выше случаях механизм роста кристалла, т. е. механизм, когда атомы питающей фазы присоединяются к растущему кристаллу, подчиняется законам повторимого роста. Между окружающей средой и кристаллом всегда существует переходный слой, он образует физическую границу раздела фаз. Все молекулы или атомы, которые переходят из одной фазы в другую, какое-то время находятся в том слое, где происходят процессы, обусловливающие рост кристалла. Например, в процессе выращивания монокристаллов различных полупроводниковых материалов атомы вещества, которое кристаллизуется, выделяются в результате гетерогенной химической реакции, происходящей на поверхности растущего кристалла.Поэтому применять эффективные кристаллизационные методы очистки монокристаллов и производительные методы их выращивания из расплавов не всегда возможно, вместо этого используют методы получения кристаллов из паровой фазы или из растворов. 3) рост из паровой фазы, когда она состоит из различных химических соединений атомов, которые образуют кристалл и, когда она состоит из атомов или молекул элементов, образующих кристалл. Что касается применения методов выращивания из растворов монокристаллов соединений с контролируемыми свойствами, следует брать во внимание несколько случаев: 1) растворителями являются вещества, которые не входят в состав выращиваемого кристалла, т. е. раствор образуется путем растворения шихты заданного состава в выбранном растворителе (например, NACL-Н20); После того как устанавливается заданный градиент температур DT и температуры T2, Т1, создают в ампуле постепенно повышающееся давление паров компонента В, а по высоте расплава начинают повышать температуру Т3. Нагретая до температуры Т1, Печь 1 необходима для создания заданного давления паров над раствором, который при температуре Т2 (печь 2) насыщен летучим компонентом В.В данной работе было выявлено, что наиболее производительные методы выращивания монокристаллов из расплавов, а наиболее эффективные кристаллизационные методы их очистки не всегда применимы, вместо них используют методы получения кристаллов из растворов или из паровой фазы.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
