Микрофотография затворов титана на некачественной подложке нитрида галлия. Фотолитографические технологии в производстве оптических деталей. Разработка технологии формирования затворов для силовых гетероструктурных транзисторов на основе нитрида галлия.
Аннотация к работе
Разработка технологии формирования нитрид титанических затворов для силовых гетероструктурных транзисторов на основе нитрида галлия Заречнев Антон ДмитриевичКроме этого, высокая концентрация электронов в области двумерного электронного газа в сочетании с приемлемой подвижностью электронов дает возможность реализации большой плотности тока в сечении канала транзистора и высокого коэффициента усиления [1]. Нитрид титана (TIN) является одним из наиболее изученных материалов, который обладает высокой твердостью и износостойкостью, низким значением электрического сопротивления, высокой химической и термической стабильностью, а также интересными оптическими свойствами, которые проявляются в колебании цвета от золотистого до темно-коричневого. В данной работе внимание было уделено разработке технологии формирования затворов на основе пленок TIN для силовых гетероструктурных GAN транзисторов с использованием метода обратной литографии (литографии на "взрыв"). После завершения проявления резистивной маски происходило нанесение пленки TIN толщиной 100 нм методом реактивного магнетронного распыления в атмосфере Ar N2при остаточном давление атмосферы в рабочей камере 3·10-7 мбар и потоках газов Ar и N2 по 25 см 3/мин и 14 см 3/мин, соответственно. Перед проведением процесса обратной литографии, то есть взрыва резистивной маски подложки, проводилась предобработка всей пластины в растворе MF319:H2O в соотношении 2:1, а также вся пластина подвергалась обработке в ванне с ультразвуком, что позволило увеличить отслоение части подпыленной пленки TIN, изображение которой приведено на рис.