Микрофотография затворов титана на некачественной подложке нитрида галлия. Фотолитографические технологии в производстве оптических деталей. Разработка технологии формирования затворов для силовых гетероструктурных транзисторов на основе нитрида галлия.
При низкой оригинальности работы "Разработка технологии формирования нитрид титанических затворов для силовых гетероструктурных транзисторов на основе нитрида галлия", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Разработка технологии формирования нитрид титанических затворов для силовых гетероструктурных транзисторов на основе нитрида галлия Заречнев Антон ДмитриевичКроме этого, высокая концентрация электронов в области двумерного электронного газа в сочетании с приемлемой подвижностью электронов дает возможность реализации большой плотности тока в сечении канала транзистора и высокого коэффициента усиления [1]. Нитрид титана (TIN) является одним из наиболее изученных материалов, который обладает высокой твердостью и износостойкостью, низким значением электрического сопротивления, высокой химической и термической стабильностью, а также интересными оптическими свойствами, которые проявляются в колебании цвета от золотистого до темно-коричневого. В данной работе внимание было уделено разработке технологии формирования затворов на основе пленок TIN для силовых гетероструктурных GAN транзисторов с использованием метода обратной литографии (литографии на "взрыв"). После завершения проявления резистивной маски происходило нанесение пленки TIN толщиной 100 нм методом реактивного магнетронного распыления в атмосфере Ar N2при остаточном давление атмосферы в рабочей камере 3·10-7 мбар и потоках газов Ar и N2 по 25 см 3/мин и 14 см 3/мин, соответственно. Перед проведением процесса обратной литографии, то есть взрыва резистивной маски подложки, проводилась предобработка всей пластины в растворе MF319:H2O в соотношении 2:1, а также вся пластина подвергалась обработке в ванне с ультразвуком, что позволило увеличить отслоение части подпыленной пленки TIN, изображение которой приведено на рис.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
