Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
При низкой оригинальности работы "Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙВ работе представлен маршрут подготовки полупроводниковых пластин к дальнейшему использованию их в микроэлектронике. От состояния поверхности полупроводника, его дефектности, зависит совершенство структуры эпитаксиальных слоев, выращиваемых на нее при изготовлении изделий [1, c. Хорошо известно, что электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность зависят от состояния поверхности полупроводниковых пластин [2, c. К чистой поверхности пластин полупроводников предъявляются требования по минимальному содержанию различных загрязнений: органических, примесей металлов, механических частиц [4, c. Поэтому с целью минимизирования количества подобного рода загрязнений на предприятиях и в лабораториях вводят определенные меры: чистые комнаты, стерилизация, спецодежда, вентиляция с ламинарным потоком воздуха, безконтактные методы обработки пластин, удаленное управление технологическими процессами.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
