Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
При низкой оригинальности работы "Разработка модели для расчета напряженно-деформированных состояний в полупроводниковых структурах при лазерном воздействии", Вы можете повысить уникальность этой работы до 80-100%
Разработка модели для расчета напряженно-деформированных состояний в полупроводниковых структурах при лазерном воздействииТекстурирование, рекристаллизация и отжиг при помощи лазеров широко применяются при создании сенсибилизированных красителем солнечных элементов (СКСЭ), жестких дисков, панелей и прочих полупроводниковых структур, позволяя управлять микрогеометрией поверхности и структурой пленок благодаря локальности термического воздействия [1 - 4]. Во многих случаях лазерный луч фокусируют в полоску, которая сканирует поверхность, а распределение плотности мощности лазера по координате x приводят к прямоугольному виду (рис. Однако локализация теплового воздействия приводит к большим градиентам температур в зоне воздействия лазерного луча, большим термомеханическим напряжениям и появлению дефектов. Задачу нахождения термомеханических напряжений при воздействии лазерного излучения можно разделить на две независимые: - нахождение распределения температуры при воздействии лазерного излучения; Задачу нахождения термомеханических напряжений при воздействии лазерного излучения для данного случая можно упростить до двумерной, поскольку длина сечения лазерного луча по координате z много больше размера по x (рис.В работе представлена модель, позволяющая рассчитать распределение напряжения в полупроводниковой структуре под действием сканирующего лазерного излучения. Для решения системы, состоящей из уравнений (1), (2), (7) с соответствующими граничными условиями был использован метод конечных разностей.
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
