Разработка технических требований на микросхему. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. Определение размера платы и выбор типоразмера корпуса. Расчет теплового режима резисторов. Очистка поверхности и контроль подложек. Нанесение тонких плёнок.
Электронные приборы и устройства используются в аппаратуре связи, автоматики, вычислительной и измерительной техники, приборостроении. Электронная промышленность, научной основой развития которой являются достижения электроники, серийно производит вакуумные, газоразрядные, полупроводниковые, фотоэлектронные, пьезоэлектрические приборы. Этот процесс возник в связи с потребностями развития промышленного выпуска изделий электронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов их производства, уменьшения их массы, занимаемых ими объемов, повышения их эксплутационной надежности.В курсовом проекте разрабатывается микросхема генератора. Схема электрическая принципиальная и схема включения микросхемы приведены на рисунках 1.1 и 1.2 соответственно Рисунок 1.1 Схема электрическая принципиальная. Рисунок 1.2 - Схема включения микросхемы Разрабатываемый генератор должен иметь следующие технические характеристики: Напряжение питания, В 9±0,9Согласно ГОСТ 18725 - 73, ОТУ содержат требования к электрическим параметрам, конструкции, устойчивости к механическим и климатическим воздействиям, надежности, долговечности и сохраняемости. Электрические параметры ИМС при изготовлении, хранении и эксплуатации в режимах и условиях, допускаемых в технической документации на ИМС конкретных типов, должны соответствовать определенным нормам. Габаритные и присоединительные размеры, внешний вид и масса ИМС должны соответствовать требованиям, установленным в технической документации на ИМС конкретных типов. ИМС должны сохранять параметры в пределах норм, установленных технической документацией в соответствии с группой жесткости согласно ГОСТ 16962-71 в процессе и после воздействия механических нагрузок: вибрационных с частотой 1 - 2000 Гц и максимальным ускорением 10 - 20 g, многократных ударов длительностью 2 - 6 мс с ускорением 75-150 g, линейных нагрузок с максимальным ускорением 25-2000 g. ИМС должны сохранять параметры в пределах норм, установленных технической документацией, в процессе и после воздействия на них следующих климатических факторов: температуры воздуха с верхними значениями 55, 70, 85, 100, 125, 155 и нижними значениями - 10, - 25, - 40, - 45, - 55, - 60 , изменения температур от верхнего предела до нижнего; относительной влажности 98% при температуре 35 . ИМС должны допускать эксплуатацию после их транспортировки при температуре - 50 . ИМС в корпусном исполнении, предназначенные для эксплуатации в условиях тропического климата, должны быть устойчивыми к длительному воздействию влаги, соляного тумана, и среды, зараженной плесневыми грибами.По конструктивно-технологическом исполнении, ИМС подразделяют на три большие группы: полупроводниковые, гибридные и прочие (рисунок 1.3). Классификация ИМС по степени интеграции представлена в таблице 1. В большинстве случаев микросхему можно реализовать любым из существующих конструктивно-технологических способов, но ее изготовление наиболее целесообразно и экономично при использовании какого-то определенного варианта. Гибридные интегральные микросхемы по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС. В качестве навесных компонентов в ГИС применяют миниатюрные дискретные резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, дроссели, трансформаторы.Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов заключается в определении формы, геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. При этом необходимо, чтобы резисторы обеспечивали рассеивание заданной мощности при удовлетворении требуемой точности в условиях существующих технологических возможностей. Параметры тонкопленочных резисторов определяются свойствами применяемых резистивных материалов, толщиной резистивной пленки и условиями ее формирования. В качестве резистивных материалов используют чистые металлы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а также специальные резистивные материалы - керметы. Определяем оптимальное с точки зрения минимума площади под резисторами ГИС сопротивление квадрата резистивной пленки по формуле: (4.1)Для оценки мощности рассеиваемой на резисторах преобразуем исходную схему (рисунок 1.1) к виду показанному на рисунке 4.1. Нам требуется оценить максимальную рассеиваемую мощность на резисторах, и лишний запас только увеличит надежность схемы, поэтому применение для расчетов настолько упрощенной эквивалентной схемы полностью оправдано.Определим по формуле: (4.5) где - погрешности воспроизведения ширины и длины резистора, зависящие от метода задания конфигурации; Подставляя численные значения в формулу (4.5), получим: Определим по формуле: (4.6) где - мощность, рассеиваемая резистором R1 (таблица 4.
План
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
2. разработка технических требований на микросхему
3. ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ИСПОЛНЕНИЯ МИКРОСХЕМЫ
