Диффузия из неограниченного источника. Построение профиля распределения примеси при изготовлении p-n перехода диффузией из постоянного источника. Коэффициент диффузии при температуре загонки. Концентрация исходной примеси и на поверхности пластины.
Построить профиль распределения примеси при изготовлении p-n перехода диффузией из постоянного источника Решение: Диффузия - перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества и направленный в сторону убывания этой концентрации. Диффузия из неограниченного источника представляет первый этап диффузии, задача которого - введение в кристалл определенного количества примеси. Поверхностная концентрация бора определяется по кривым зависимости растворимости атомов примеси в кремнии для . Первая диффузия является более глубокой, последующая - более мелкой, но с более высокой концентрацией, поэтому при двойной последовательной диффузии будут получены структуры n-p-n согласно формуле или p-n-p: , где - профиль распределения примеси в коллекторе; - профиль распределения примеси в базе; - профиль распределения примеси в эмиттере.
Список литературы
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы».- М.: Высш. шк., 1986.- 368 с., ил.
2. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем.- Мн.: Выш. школа, 1982.- 224с., ил.
3. Процессы микро- и нанотехнологии: учеб. пособие/ Т.И. Данилина, К. И. Смирнова, В.А. Илюшин, А.А. Величко; Федер. агентство по образованию, Томск. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники.- Томск: Томск. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники, 2004.- 257 с.
Размещено на .ru
Вы можете ЗАГРУЗИТЬ и ПОВЫСИТЬ уникальность своей работы
